本文最后編輯于2020-2-3
概述
51單片機是比較適合新手入門的一款單片機，結構簡單，易于學習，本博客為筆者自學完單片機后進行的小總結，
單片機我也是學學放放，中間遇到了很多挫折（當然現在也是），我是自學了C語言之后，在大一下學期開始接觸51的，所以，我的51系列blog比較淺顯，因為用單片機的時間較少，所以，也并不全面，僅供參考，如有錯誤，敬請指正，
正文
51單片機的結構(基于MCS-51)
單片機也叫單片微控制器，可以簡單的理解為：一種集成在芯片上的微型計算機系統，通用計算機采用馮諾依曼結構（不完全是馮諾依曼結構）而51單片機屬于哈佛結構，
為什么51單片機要使用哈佛結構？
（這里之說馮諾依曼結構與哈佛結構的差異）馮諾依曼結構認為程式是特殊的資料，所以將程式與資料一起存盤，而哈佛結構將程式與資料分離存盤，單片機一般用于控制領域，個人電腦，死機的話可以重啟，而單片機一般作業時無人看管，如果跑飛，可能會造成極大的損失，在馮諾依曼結構中，資料與程式一起儲存，程式跑飛，可能會對原有的程式片段進行修改，而在哈佛結構中程式片段與資料分離，即使跑飛，程式也不會被修改，（且跑飛后規律很明顯，程式區不變，資料區的資料不斷變化），相對馮諾依曼結構，哈佛結構的單片機跑飛的幾率會變低，
存盤器結構
既然講到了哈佛結構是程式與資料分開來存盤的，那就說一說51存盤器的結構
ROM：程式存盤器
RAM：資料存盤器
對于51單片機來說__ROM__是必備的，沒有ROM單片機就不能作業，當單片機作業時，指令是從ROM去除來一條一條的執行的，
ROM又有內部ROM和外部ROM之分，內部ROM是在單片機內部的，而外部ROM，是通過地址總線來和單片機通訊的，
單片機是如何來判斷該從內部ROM開始讀取程式還是從外部RAM開始讀取程式？
這里引出單片機的第一個比較重要的引腳EA(EA要加上劃線，取反)，當EA為高電平（5v）時，單片機從內部存盤器開始讀取程式，當EA為低電平時，單片機從外部存盤器開始讀取程式，
高電平與低電平
在數字電路中高電平代表1，低電平代表0，一般規定低電平為0~0.25V，高電平為3.5~5V，
為什么單片機有一些引腳要加上劃線（如 EA引腳）？
加上劃線的引腳代表低電平有效，如EA引腳，加低電平的話，單片機才從外部ROM開始讀取指令執行（這樣說不嚴謹，可以簡單的這樣記），
引腳
51單片機一共有40個引腳：P0、P1、P2、P3、VCC、GND、RST、EA（反）、ALE、PSEN（反）、XTAL1、XTAL2.
P0到P3為輸入輸出口，
VCC、GND是主電源引腳，
RST、EA（反）、ALE、PSEN（反）為控制引腳，
XTAL1、XTAL2為震蕩電路引腳，
為什么需要震蕩電路？
震蕩電路一般使用晶振和電容組成、可以產生標準的正弦波信號，相當于單片機的心臟，震蕩電路震蕩一次，產生一個脈沖信號，單片機執行一次或多次指令，
關于控制引腳
RST就相當于重啟
EA（反） 相當于要不要從u盤中啟動
其他待補充，，，（目前還沒有用到）
I/O口
P1、P2、P3 作為 準雙向I/O口 來使用，P0作為 雙向I/O口 使用，
準雙向I/O口
準雙向I/O口在作為輸入口使用時，應先寫1，再使用，
其中
1.在有外部存盤器或拓展I/O口時P0分時復用為低八位地址總線或雙向資料總線、P2作為高八位地址總線或雙向資料總線，
2.P0口作為I/O口輸入時，不需要上拉電阻但需要先置1然后再使用
3.P0口輸出時，由于內部沒有上拉電阻，故要外接上拉電阻
4.只有P0口沒有內接上拉電阻，其他口都有上拉電阻
作業周期和時序
復位方式
在時鐘電路作業以后，當外部電路使得RST端出現2個機器周期以上的高電平，系統內部自動復位（重啟），復位方式有兩種，手動復位和自動復位，
機器周期和指令周期
機器周期
一個機器周期有六個狀態分別為S1-S6.每個狀態下有兩拍 P1、P2，而一個時鐘周期（震蕩周期）為一拍
指令周期
計算機取一條指令至執行完該指令需要的時間為指令周期，不同指令，周期不同，大部分指令由一個指令周期或兩個指令周期完成，只有乘法、除法指令需要4個指令周期，
以12M的晶振為例，其時鐘周期為 1/12M = 1/12us，機器周期為時鐘周期X12， 為1us
為何會出現11.0592MHz的晶振？
按照上文所述，12M的晶振應該是比較適合單片機選用的晶振，計算出的機器周期正好為1us方便使用，但為何會出現11.0592M的晶振？，原因是通信時使用的波特率，11.0592可以被較好的分頻，而12M每次分頻后會產生誤差，誤差慢慢積累會導致資料越來越不準確，故有11.0592M的晶振，
參考資料
單片機原理及應用
分析單片機晶振大多為11.0592的原因
為什么單片機的晶振會有 11.0592MHz 這個數字？
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