SRAM大多是由CMOS管組成的揮發性靜態存盤器，在掉電后存盤器中所存資料就會丟失，隨機靜態存盤器可以對任何地址進行讀寫操作，通過鎖存器的原理對資料進行保存，在無操作狀況下，鎖存器處于穩態，保持資料穩定，不用進行周期性的電荷重繪，SRAM由基本單元構成的陣列以及外圍電路構成，其中陣列的劃分和外圍電路的優劣對整個SRAM的性能有很大的影響，
SRAM是隨機存盤器的一種，它由靜態揮發性存盤單元組成的存盤陣列(或者叫內核，core) 組成，其地址譯碼集成在片內，SRAM 速度很快而且不用重繪就能保存資料不丟失，它以雙穩態電路形式存盤資料，結構復雜，內部需要使用更多的晶體管構成暫存器.以保存資料，SRAM由于靠連續的供電來維持所存資料的完整性，故屬于易揮發性存盤器，
SRAM電路結構與操作和一般的RAM類似，由存盤陣列、靈敏放大器、譯碼器、輸入輸出電路和時序控制電路五大部分組成，存盤單元按行和列排列起來就組成了sram芯片的陣列結構，行和列分別稱為“字線”和“位線”，每個存盤單元對應于一個唯一的地址，或者說行和列的交叉就定義出了地址，而且每一個地址和某一特定的資料輸入輸出埠是相連的，一個存盤芯片上的陣列(或者自陣列)數目是由整個存盤器的大小、資料輸入輸出埠數目、存盤速度要求、整個芯片的版圖布局和測驗要求所決定的，
圖1 SRAM 的整體結構圖
如圖1所示存盤陣列是由存盤單元(cell)構成的矩形陣列，每一個單元都有自己獨特的地址，通過外圍的譯碼電路選中相應的單元進行讀寫操作，譯碼電路包括行譯碼電路和列譯碼電路，其中行譯碼電路用來從2* 行中選中一行，列譯碼是從2* 中列中選出一-列，這樣通過行譯碼列譯碼的共同作用來從陣列中選出相應的單元進行讀寫操作，靈敏放大器和寫入電路用來對資料進行讀寫操作，
在資料讀出程序中，由于位線過長使得從單元中讀出的信號很弱，需要用靈敏放大器來放大信號，加快資料的讀出程序，寫入電路用來進行資料的輸入，控制電路主要用來控制資料的讀寫以及譯碼程序，通過相應的控制信號如讀使能信號寫使能信號等來控制資料的讀寫操作，
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標籤：嵌入式
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