NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存盤資料，而且在封裝技術方面也很有競爭力，這些器件適用于需要安全資料存盤以及幾乎不需要現場維護的場合，
因此將比較它需要多長時間來擦除64Kb資料及寫入新資料，最后必須知道制造商提到功耗時并不是使用一致的標準，某些設備可能指定在Vcc=1.8V下作業，但其資料表提供的卻是Vcc=2.5V，此處所用的數值是資料表中規定的最差情況數值，
串行資料閃存擦除頁/扇區時，需要耗用大量的能量，因為這些操作耗時較長，EEPROM與閃存使用輪詢(polling)技術而不是等待一段最差情況所需的時間來完成操作，從而減少了兩者的能量要求，資料表沒有清楚顯示當寫入/擦除完成時，寫入/擦除周期中消耗的電流是否自動逐步減少或是否繼續，
非易失NV-SRAM通常用于要求維護次數盡可能少，頻繁進行讀/寫操作，并且資料保存速度是至關重要的系統中，數控銑床就是一個例子，假設機器正在進行銑操作的時候突然斷電，出于安全考慮，需要撤出鉆頭并將其停放在一個安全位置，一旦上電，機器必須記住停止作業的點，有了NV-SRAM模塊，這一任務是很容易實作的，選擇的保持時間應等于或大于向EEPROM中存盤程式資訊所需的時間，在資料寫入EEPROM之前，仍然需要SRAM充當資料快取，采用這一方案，附加元件的費用通常要超出NV-SRAM模塊的成本，并且可靠性較低，
在防篡改應用，特別是在PoS終端中，資料記錄非常重要，如今的智能終端無須經過耗時的遠程服務器的驗證就能確認付款交易，由于安全資料存盤于終端內部，因此這里完全依靠單片BGA模塊，安全微控制器可以將密鑰存放在lC內部的“安全區”內，然而，仍然需要采取一些額外措施，以防止存放在微控制器之外SRAM中的加密資料被讀取和解碼，目前所能提供的保護措施尚不足以對付那些狡猾的黑客，針對這一問題，也有一些解決方案，例如NaxiDallasSermconductor推出了定制的BA模塊，包含安全微控制器、SRAM篡改檢測電路，以及定時和控制功能，
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