SDRAM存盤器讀寫速度較高，其單位容量的功耗較低，廣泛應用在許多工程專案中，特別在雷達、影像處理等需要高速度、大容量的資料存盤領域，SDRAM存盤器有著廣泛的應用價值，而單片SDRAM存盤器一般是直接焊接在電路板上，而且引腳較多、一旦遇上SDRAM存盤器作業故障，更換芯片比較麻煩，并且當需要擴充容量時修改電路也不方便，計算機上廣泛應用的記憶體條具有速度高、容量大、介面標準、擴展方便等優點，在大容量,高速資料存盤的領域,應用SDRAM記憶體條代替一般的單片SDRAM存盤器，給實際電路的更改和存盤容量的擴展帶來了極大的方便，本篇文章宇芯電子存盤芯片供應商主要介紹關于SDRAM記憶體條時序特點，
SDRAM記憶體條時序特點
SDRAM記憶體條的作業模式對時序要求嚴格，只有上電邏輯和模式設定正確才能進入相應的作業模式，訪問特定邏輯單元必須先激活相應的存盤塊(BANK)，并鎖定對應行、列地址，另外必須有定時的重繪邏輯保持資料不丟失，SDRAM記憶體條的控制由一些專用控制引腳和地址線輔助完成CS/RASICAS/WR在時鐘上升沿的狀態決定具體操作動作，地址線和BANK選擇控制線在部分操作動作中作為輔助引數輸入，
1.1 上電邏輯和模式設定
SDRAM記憶體條所有電源引腳必須同時加電，并且所有輸入和電源引腳上電電壓不得超過標稱值0.3V，加電完成后應立即對所有BANK進行預充電，然后等待20Ous以避免輸出總線上的資料沖突，等待期間要求DQM和CKE保持高電平，等待20Ous以后需要發出模式暫存器設定(MRS)命令以初始化模式暫存器，并附加八個自動重繪周期(CBR)以保證后續操作正常，模式暫存器設定命令使用地線和BANK選擇作為模式資料輸入線，其中AA,Ao為BURST長度，A為尋址模式，AAsA編碼為CL值，A為寫模式，模式暫存器的設定值必須與器件的延遲引數以及與讀寫操作的控制時序--致,否則將導致錯誤或不可靠的讀寫，
1.2存盤單元訪問
SDRAM記憶體條采用地址線復用而減少I/O引腳數量，BANK激活周期鎖定行地址，讀寫操作命令發出時，鎖定列地址，任意讀寫操作前都必須有BANK激活命令，BANK激活命令激活相應BANK并鎖存行地址，BANK激活命令到后續讀寫的延遲必須不小于tRCD，同時一旦BANK被激活后只有執行一次預充命令后才能再次激活同一BANK，兩次激活的間隔不小于tRC，每次激活后BANK保持激活狀態的最長時間由指標tRAS(max)決定，
1.3重繪邏輯和預充
SDRAM記憶體條的存盤單元相當于一-個電容，必須有定時的重繪周期以避免資料丟失，重繪控制器決定重繪的時間間隔，重繪計數器保證每個單元都能被重繪，當然這意味著SDRAM記憶體條的部分周期必須分配給重繪操作而降低系統性能，SDRAM記憶體條可以采用自動重繪或自重繪，自動重繪實作較為簡單而自重繪功耗更小，預充對BANK 預充電或者關閉已激活的BANK，當CS、RAS和WE為低而CAS為高時為預充命令，SDRAM記憶體條既可分別預充特定BANK也可同時作用于所有BANK，A10、BS0和BS1用于選擇BANK，
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