新型的存盤器既具有RAM的優點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點，
鐵電隨機存盤器（FRAM)
FRAM的核心技術是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存盤產品同時擁有隨機存取存盤器(RAM)和非易失性存盤產品的特性，
當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動，當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿，內部電路感應到電荷擊穿并設定存盤器，移去電場后，中心原子保持不動，存盤器的狀態也得以保存FRAM存盤器不需要定時重繪，掉電后資料立即保存，它速度很快，且不容易寫壞，
FRAM存盤器技術和標準的CMOS制造工藝相兼容，鐵電薄膜被放宇CMOS襯層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造程序，
FM1808外部引腳FRAM產品有兩種基本形式，一種是并行結構，一種是申行結構，并行結構的FRAM與容量相同的sram芯片引腳兼容，串行結構的FRAM與同容量的串行EEPROM引腳兼容，
1.非易失性:掉電后資料能保存10年,所有產品都是工業級
2.擦寫次數多5V供電的FRAM的擦寫次數100億次低電壓的FRAM的擦寫次數為1億億次
3.速度快串口總線的FRAM的CLK的頻率高達20M并且沒有10MS的寫的等待周期并口的訪問速度70NS
4.功耗低靜態電流小于10UA讀寫電流小于150UA.
磁性隨機存盤器（MRAM)
MRAM作業的基本原理與硬碟驅動器類似，與在硬碟上存盤資料一樣，資料以磁性的方商為依據，存盤為0或1，它存盤的資料具有永久性，直到被外界的磁場影響，才會改變這個磁性資料，因為運用磁性薦儲資料，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低，
但是MRAM的磁介質與硬碟有著很大的不同，它的磁密度要大得多，也相當薄，因此產生的自感和阻尼要少得多，這也是MRAM速度天天快于硬碟的重要原因，當進行讀寫操作時，MRAM中的磁極方問控制單元會使用相反的磁力方向，以使資料流水線能同時進行讀寫操作，不延誤時間，
與面前流行的DDR或是RDRAM相比，MRAM的優勢依然明顯，除了非易失性外，僅在速度、功耗和體積上，MRAM也有較大的優勢，
256KB MRAM的通用存盤器芯片，其結構是16KB×16，讀寫周期小于50ns，在3伏特電壓下讀功耗為24mW，隨著技術的不斷革新，芯片存盤能力將進一步提升，而讀寫周期將控制在10ns以內，功耗將小于8mW，
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