磁阻式隨機存盤器(MRAM)是一種新型存盤器,其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等,目前許多研究主要是致力于將MRAM存盤器運用于計算機存盤系統中,MRAM因具有許多優點,有取代SRAM和DRAM的潛能,用MTJ存盤單元構建的MRAM存盤器可以用作高速快取,
高速快取可以用與SRAM幾乎相同的方式來組建,MRAM與SRAM具有相似的電路結構(見圖1),
它們都由字線來選擇目標操作單元,由位線來傳輸資料,SRAM兩種不同的位線連接到每一個單元,而MRAM只有一條位線,可以簡單的把位線與源線的結合看做替代,因為基于sram芯片的讀出放大器不能直接用于MRAM存盤器,故MRAM需要一個參考信號,通常由一個偽MRAM單元提供,其面積可以忽略,
圖1MRAM單元的等效電路結構(1T1J)
因此一個大型MRAM陣列被劃分成若干個小型陣列,小型陣列可采用傳統高速快取結構,由H-tree連接起來,其行列數目和尺寸可以使用CACTI工具來進行優化,
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