新千年資訊怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存盤器，1989年巨磁阻現像的發現及隨后幾年巨磁阻材料的開發,直至巨磁阻磁頭GMR的制成與應用都為MRAM存盤器研究開發奠定了基礎，
1995年IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發,其技術指標及產品目標要求如下:
技術指標:
具有sram芯片的隨機存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存盤密度;
具有EEPROM芯片存入資料的非易失性，
產品目標:
取代計算機的DRAM記憶體，
取代手機的EEPROM閃存，
表1列出MRAM芯片與目前常用的幾種計算機記憶體SRAM、DRAM及閃存的性能比較，
表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比較
由上述表中的四種記憶體只有MRAM能同時滿足計算機記憶體的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、資料存盤密度高以及耗電功率低等，因此美、日、歐等發達國家都很重視這項新技術,投巨資加速MRAM產品的商業化，
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