Flash存盤器是一種基于浮柵技術的非揮發性半導體存盤器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種型別，作為一類非易失性存盤器 ,Flash存盤器具有自己獨特的優點:不需要特殊的外部高電壓即可進行電可擦除和重復編程,成本低及密度大,因而廣泛用于嵌入式系統中，
與RAM 不同的是,Flash存盤器除了具有一些典型的存盤器故障型別外,還會出現一些其它的故障型別，例如 NOR型別的Flash還會出現以下主要故障型別:
(1) 柵極編程干擾 (GPD)和柵極擦除干擾(GED)，對一個存盤單元的編程操作引起同一字線上的另外單元發生錯誤的編程或擦除操作，
(2)漏極編程干擾和漏極擦除干擾:對一個存盤單元的編程操作引起同一位線上的另外單元發生錯誤的編程或擦除操作，
(3)讀干擾:對一個存盤單元的讀操作引起對該單元的錯誤編程，
(4) 過度擦除(OE):對存盤單元的過度擦除將會導致對該存盤單元的下一次編程不起作用,從而無法得到正確的操作結果，
上面幾種型別的干擾故障一般發生在Flash 存盤器同一行或者同一列的單元之間,利用記憶體Flash故障的理論模型6，可以選擇應用適合Flash存盤器測驗的March演算法,并且可以對這些演算法進行對比與評估7,例如一種Match A演算法可表示為:
這種March A 測驗演算法能夠覆寫SAF (Stuck-At Faults),DPD,DED,RD,OE和幾乎所有的 GPD,GED 故障，其演算法復雜度可以表示為11xP+4xR ,其中P和R分別表示一次編程和讀取操作,N表示存盤器的存盤容量(字數)，
轉載請註明出處，本文鏈接：https://www.uj5u.com/caozuo/220004.html
標籤：嵌入式
上一篇：Flash存盤器的故障特征