采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的資料到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms、9uA就可以把資料寫完，通過比較可以看到，如果要寫很多資料到Flash等傳統存盤器里，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低，
從擦寫資料次數來看，一般存盤器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10次方后仍可繼續進行擦寫操作，由于FRAM速度和SDRAM寫的速度差不多相同，在整個MCU架構里，TI做了整體化的類選，就是說放16個FRAM在1個MCU里，這時候FRAM可以當SDRAM使用，也可以充當Flash以及EEPROM去使用,這樣整體存盤器用起來效率更高，使用更方便，這是一個全新的MCU存盤技術，
在應用層上FRAM適用于什么地方呢?應用在傳感器上FRAM的優勢可明顯體現出來，FRAM可快速將傳感器得到的資料記錄下來，如果用Flash來做就會資料寫的時間很長，傳感器資料讀完后再寫，反復間斷性讀寫動作使每個資料點都是分開的，無法做到資料讀寫的連續性，在射頻的應用上，Flash因速度的限制會使功耗上升的很高，如果用FRAM讀取與傳輸都是在同步高速進行，節省時間的同時也讓功耗大幅降低，
如在傳感器資料記錄上，其它存盤介質由于功耗的原因而對傳感器的安放地點要有所限制，增加了維護成本，而采用FRAM的MCU通過能量收集技術，使得能在更多的位置安放更多的傳感器，
由于目前MCU存盤介質大都采用Flash，所以FRAM針對記憶體Flash的優勢自然被TI視為第一比較物件，如有限的資料更新/寫入速度與連續且可靠的監視、存盤和RF傳輸;選擇性監視與連續監視;消耗長達1個月的電池壽命與耗用不到6小時的電池壽命:資料塊級擦除及編程與位級存取;需要冗余(鏡像）存盤塊與可在電源丟失的情況下保證寫入操作等，
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