SRAM即靜態隨機存取存盤器，所謂“靜態”是指這種存盤器只要保持通電，里面存盤的資料就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失，與DRAM（動態隨機存取存盤器）相比它不需要周期性的重繪里面的資料，操作簡單且速度更快，但是更加的昂貴，集成度不如DRAM高，
在實際應用中的存盤器所需要的容量通常比所生產的芯片容量大得多，所以需要對多芯片進行組合以實作存盤容量的擴充，本文以SRAM芯片為例系統介紹常用的擴充存盤容量的方法，
通常微處理器的資料總線為8位和16位或32位，而地址總線為16位或24位不等，當靜態RAM的地址線和資料線不能與微機相匹配時，可用地址線擴展和資料線擴展或地址和資料線同時進行擴展的方法加以解決，
1.RAM容量的擴展---位數擴展資料線擴展
如SRAM 2114 10位地址，4位資料線，其容量=210×4=1024×4=4096字位(4K)，
例:用4K容量的RAM2114，實作一個容量為1024×8(≈8K字位)字位容量的RAM，
解:1024×8字位容量，其地址仍是十位，故只要進行資料位擴展即可，選用RAM2114兩片，將兩片的地址線，讀/寫線及片選線并聯，兩片的位線分別作為高4位資料和低4位資料，組成8位的資料線即可，擴展后的電路如圖所示:
2.SRAM容量的擴展---字位擴展，地址擴展，資料位擴展，
例:用RAM2114，擴展成容量為4096×8字位(32K)的RAM，
解:4096需要12位地址，而RAM2114只有10位地址，所以需要進行地址擴展，同時應該將一字4位,擴展成一字8位，字的位擴展用前面方法，地址擴展用譯碼器完成，用8片RAM211擴展后的電路如圖所示:
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