隨著半導體技術的飛速發展,各種存盤器相繼推出,性能不斷提高，眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的資料隨即消失,再次加電后，存盤器中的資料為亂數，這對于需要保存大量現場資料及各種系統引數的應用系統來說無疑是不允許的，雖然EPROM的資料不會因掉電而丟失，但EPROM只能用專用的寫入器寫入資料,無法替代相應的SRAM，
SRAM不存在重繪的問題，一個SRAM基本存盤單元融個晶體管和兩個電阻器構成,它并不利用電容器來存盤資料，而是通過切換晶體管的狀態來實作的，如同CPU中的晶體管通過切換不同的狀態也能夠分別代表0和這兩個狀態正是因為這種結構,所以SRAM的讀取程序并不會造成SRAM記憶體儲的的資訊的丟失，當然也就不存在什么重繪的問題了，
EEPROM和FLASH是電可擦除的,可以部分替代相應的SRAM,但EEPROM和FLASH寫入速度(ms級)相對于SRAM(ns級)太慢,無法存放計算產生的中間結果,無法高速隨機地寫入大量資料，EEPROM和FLASH寫入次數有限(十萬次左右),而SRAM可以無限次寫入,更關鍵的是:除非對EEPROM和記憶體Flash的片選信號用專門的電路加以控制,上、掉電期間會產生誤寫，盡管FLASH有硬、軟體寫保護,但其保護演算法使用起來很不方便，效果也不理想,在大多數應用場合中無法替代SRAM，
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