SRAM不需要重繪電路即能保存它內部存盤的資料，SRAM具有較高的性能，功耗較小，SRAM主要用于二級高速快取，它利用晶體管來存盤資料，但是SRAM也有它的缺點，集成度較低，相同容量的DRAM記憶體可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴，SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的快取，
SRAM存盤原理
SRAM采用雙穩態觸發器來作存盤元件，不存在電容的重繪問題，只要電源正常供電，觸發器就能穩定地存盤資料，因此稱為靜態隨機存取儲存器，其存盤單元的每一位都是由雙穩觸發器和選通門電路組成的;而整個存盤器由存盤單元組成的陣列和控制電路組成，
SRAM特點
連接使用方便(不需要重繪電路)、作業穩定、存取速度快(約為動態隨機存取儲存器DRAM的3~5倍)、使用簡單;
由于每一位的存盤，都用好幾個晶體管，因此單片的存盤容量不易做得很高，集成度較低且價格較貴;由于價格相對較高，計算機主存用得很少，主要用作高速緩沖存盤器(Cache)，
DRAM是一種半導體存盤器，主要的作用原理是利用電容記憶體儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0，與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單,每一個bit的資料都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM存盤芯片上一個bit通常需要六個晶體管，因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低，
DRAM存盤原理
DRAM的每一位存盤單元采用一個晶體管和小電容來實作，若寫入位為“1”，則電容被充電:若寫入位為“0”，則電容不被充電，讀出時用晶體管來讀與之相連的電容的電荷狀態，若電容被充電，則該位為“1”;若電容沒有被充電，則該位為“O”，
DRAM特點
由于每個存盤位僅用一個晶體管和小電容，因此集成度比較高，就單個芯片的存盤容量而言，DRAM可以遠遠超過SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的價格也大大低于SRAM，這兩個優點使DRAM成為計算機記憶體的主要角色，DRAM的行列地址分時復用控制和需要重繪控制，使得它比SRAM的介面要復雜一些，DRAM的存取速度一般比SRAM要慢，
總結一下：
SRAM成本比較高
DRAM成本較低（1個場效應管加一個電容）
SRAM存取速度比較快
DRAM存取速度較慢（電容充放電時間）
SRAM一般用在高速快取中
DRAM一般用在記憶體條里
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