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BJT晶體管可以實作邏輯門，事實上，在場效應管被發明用于集成電路以前，各種邏輯門芯片中的電路就是用BJT晶體管來實作的，最早人們使用二極管與BJT組合來實作邏輯門，這個稱為二極管-晶體管邏輯（Diode-Transistor Logic），簡稱DTL；后來改進為全部用BJT晶體管來實作邏輯門，這個稱為晶體管-晶體管邏輯（Transistor-Transistor Logic），簡稱TTL，早期廣為人知的TTL電平，就是基于這種用BJT晶體管實作的邏輯門，TTL的優點是回應速度比較快，缺點是功耗較大，所以后來基本被功耗更低的場效應管取代，
我們這里僅介紹幾個最簡單的邏輯門的實作：反相器、或非門、與非門，主要是用來說明概念，除非你是專門設計邏輯門芯片的，否則一般平時也不太可能用分立元件去搭建邏輯門，還有就是在電路修補中萬不得已時應急用一下，
在前面幾小節的放大電路中，BJT都作業于放大區，而在用BJT實作邏輯門時，卻要使用飽和區和截止區，而不能使用放大區，這個是邏輯電路和放大電路的在使用BJT時的根本區別，
1. 反相器
反相器的功能很簡單，就是將輸入的電平反向輸出：輸入高電平-輸出低電平、輸入低電平-輸出高電平，下面是反相器的實作電路：
圖3-9.01
在作邏輯分析時，我們一般做如下近似：將VBE的導通值視為0.7V，將典型值為0.1V~0.3V的飽和電壓VCEsat近似視為0.2V，
下面是反相器電路作業原理：
• 當vi輸入為0V時，BJT截止，vo輸出電平即為5V，
• 當vo輸入為5V時，BJT的CE端導通，產生電流IC，若此時BJT處于飽和區，VCE近似可視為飽和電壓0.2V，此時輸出電平vo即為0.2V，
這個電路的關鍵點在于如何選取合適的RB與RC值以確保BJT在導通時確實作業于飽和區，一般可以先根據外部負載條件定出一個符合輸出阻抗要求的RC，然后再根據飽和要求，用公式原理推算出能使BJT進入臨界飽和的大致RB值，再加點余量，最后驗證在高電平輸入條件下，BJT在此RB配置下是否確實作業于飽和區，具體方法可參看下面的案例：
案例3-9-1：在下圖的反相器中，已知β=100，根據外部負載匹配，要求RC為500Ω，請選取合適的RB值使反相器能正常作業，
圖3-09.a1
解：先計算出，在這個RC條件下，當BJT處于臨界飽和時的ICsat值：
然后計算臨界飽和時的IBsat值（當處于臨界飽和時，β仍視為100）：
使此IBsat成立的RBsat為：
為使BJT進入更深度的飽和，我們選取RB為比RBsat更小的值，假定選取為20kΩ，
驗證：當RB為20kΩ時，IB為：
此時電流放大倍數為：
可知，在此RB值下，BJT導通時確實處于飽和區，原假設正確，
2. 或非門
或非門BJT實作電路和輸入輸出真值表如下圖所示（其中1表示高電平，0表示低電平）：
圖3-9.02
• 當vi1和vi2輸入都為0V時，晶體管Q1和Q2都截止，vo輸出電平為5V，
• 當vi1輸入為5V、vi2輸入為0V時，晶體管Q1導通、Q2截止，由于Q1作業于飽和區，VCE1=VCEsat≈0.2V，故vo輸出電平為0.2V，
• 同樣的，當vi2輸入為5V時、vi1輸入為0V時，晶體管Q2導通、Q1截止，VCE2=VCEsat≈0.2V，故vo輸出電平為0.2V，
• 當vi1和vi2都輸入0V時，晶體管Q1和Q2都導通，VCE1=VCE2=VCEsat≈0.2V，故vo輸出電平為0.2V，
關于如何配置RB1、RB2、RC的值使BJT晶體管作業于飽和區，這個和前面反相器的計算方法是類似的，可參看上面的案例3-9-1，
3. 與非門
與非門的實作需要二極管的配合，其實作電路和真值表如下圖所示：
圖3-9.03
• 當vi1和vi2輸入中有任一個為0V時，輸入二極管Di1或Di2就會導通，此時v1點的電壓即為二極管的導通閾值電壓0.7V，這個電壓無法使右邊的D1和Q1都導通，因為若要使D1和Q1的發射結都導通，vB點的電壓起碼需要0.7V，而v1點的電壓需要0.7+0.7=1.4V，而在v1只有0.7V的情況下，右邊的D1和Q1的發射結每個只能分到0.35V左右的電壓，故D1和Q1都截止，輸出vo保持5V的高電平，
• 當vi1和vi2輸入全都為5V時，輸入二極管Di1和Di2全都截止，此時VCC會使R1、D1和Q1形成通路，vB點的電壓為0.7V，v1點的電壓為1.4V，由于Q1導通時作業于飽和狀態，故輸出vo為VCEsat約等于0.2V，
至于如何配置R1、RB、RC，原理和前面是一樣的：根據輸出阻抗匹配先定RC，然后計算為使Q1進入飽和區的R1，具體方法可參看前面的案例3-9-1，
順便提一下，RB稱作下拉電阻，其主要作用是當Q1從飽和狀態切換到截止狀態時，使基區過剩的少數載流子有個渠道流掉，以減少切換開關時間，這個稍微了解一下即可，一般選一個大約的幾千歐的阻值就差不多了，在要求不高的場合下，即使不用RB也問題不大，
4. 關于TTL
在上面電路中，我們用DTL（二極管-晶體管邏輯）實作了與非門，如果你想知道傳說中的TTL（晶體管-晶體管邏輯）到底是什么樣的，那么本小節可以稍稍滿足一下你的好奇心，
我們仍以上面的與非門為例，假設先去掉Di2，那么，在圖中兩個背靠背的二極管Di1和D1，其實可以看成是一個NPN型三極管，如下圖所示：
圖3-9.04
我們前面說過，在分立元器件的BJT晶體管中，C極和E極的摻雜濃度是不對稱的，所以分立元器件中不能像上圖這樣等效，但是在制作集成電路芯片時，是可以在片上做成像上面右圖那樣的對稱管的，
而且，在集成電路制作時還可以加入多個發射極，如下圖所示：
圖3-9.05
如此，就實作了一個二輸入與非門的TTL電路，如果要實作n個輸入的與非門，還可以加入n多個發射極，當然，這種多發射極的BJT晶體管只能在集成電路芯片中實作，分立元器件的話是沒有這種器件的，
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