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打算整理匯編語言與介面微機這方面的學習記錄,本部分介紹存盤器及其擴展方法,
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參考資料
- 西電《微機原理與系統設計》周佳社
- 西交《微機原理與介面技術》
- 課本《匯編語言與介面技術》王讓定
- 小甲魚《匯編語言》
1. 存盤器的分類
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外存:磁盤、U盤、光碟等,外存嚴格來說屬于IO設備,
順序存盤器和隨機存盤器:讀寫資料的方式不同,
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記憶體:本文主要講記憶體,
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只讀存盤器:存放系統管理程式,比如計算機主板ROM里的BIOS程式,
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ROM:一次性寫,只讀,
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PROM:一次性可編程、只讀;
每個新的芯片為空片:如果以位元組為單位,則為FFH,
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EPROM:常用,紫外線可擦除ROM,借助專用寫入器可以將程式寫入(寫入的時候要先擦干凈),
目前常用型號:2716(2K乘8位元組==2KB),2732,2764,27128,
后兩者目前常用,
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E2PROM:電可擦除ROM,可以反復寫入,先擦除干凈后寫,且掉電后資訊不丟失
常用是28系列,
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隨機讀寫存盤器RAM:能讀能寫,但是掉電后資訊丟失,
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SRAM:靜態,像暫存器/鎖存器,
常用型號6264(8k×8bit==8KB)、62128、62256、2114(1K乘半位元組,需要用兩個2114并成一個位元組--位擴展)
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DRAM:動態,像電容,存1相當于給電容充電,所以需要反復給DRAM上電重繪(讀出來再寫入,重繪周期要滿足一定條件,太長就不能讓系統辨認原有資料了),
應用DRAM需要設計地址重繪電路,而這個重繪電路很復雜,所以自己設計系統一般使用SRAM,
DRAM集成度更高(雖然較于SRAM速度慢一點點),而計算機使用的都是DRAM,
本章主要是記憶體中ROM和SRAM的設計,
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從結構角度的分類/微機系統中存盤器的層次結構:

2. 存盤器主要技術指標
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容量
如果要設計32KB,62256(32K乘8bit==32KB)需要1片,2114需要64片
這里盡量選擇接近的芯片來做,比如2114的話占用面積大且對電源要求高,
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速度
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存取時間:啟動一次存盤器操作到完成此次操作的時間
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存盤周期:兩次獨立的存盤器單元操作的最小時間間隔
可以從半導體公司手冊查到,
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要求:(針對8086讀寫周期需要4個clk周期這一點)
下面的公式應該不會考,了解吧:
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存盤器芯片的最小讀出時間:\(t_{cyc}(R)<4T-t_{da}-t_D-T\)
- T:8086時鐘周期
- tda:8086的地址總線延時時間
- tD:各種因素引起的總線附加延時,總線長度、附加邏輯電路、總線驅動器等之和、
減去一個T是因為工程上的要求,
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存盤器芯片的最小寫入時間:\(t_{cyc}(W)<4T-t_{da}-t_D-T\)
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存盤帶寬:單位時間傳輸資料容量的大小,
帶寬(B,MB/s)==存盤器時鐘頻率(F,MHZ)*存盤器資料總線位數(D)/8
\(B=F\times D/8\)
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非易失性:是選擇ROM還是RAM,
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可靠性:平均故障時間間隔,
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功耗、成本等
3. 幾種常用存盤器芯片介紹
3.1 SRAM 6264
8K×8bit,有13根地址線(編碼8k),資料引腳8根(引腳8bit),此外還需要片選信號,
6264有兩個片選信號CS1fei和CS2:
- CS2高電平,CS1fei低電平則為選中,根據13根地址線選中的單元進行寫或讀操作
- 未選中則8根資料線呈現高阻態,與系統總線隔離,
- 也可以將CS1常接+5V來改造為單片選,
還有一個輸出允許腳OEfei,片選有效且輸出允許有效時,可以輸出資料,一個寫允許腳WEfei,與片選結合可以寫入資料,

注意不能同時寫或讀,OE和WE只能一個有效,
與8088CPU的地址總線結合起來來看,則8086的低13位地址線A12A0直接尋址6264內部,這叫片內尋址;而高位地址線A19A13,片外尋址,也就是決定是1MB的哪一個8KB,引出譯碼作為控制信號,作為片選信號,這一點比較好理解,
注意這里8088沒有奇偶地址的概念,比較簡單,
8086CPU的地址總線,則A1A13來片內尋址,A0決定是奇還是偶地址,高位A14A19片外尋址,
- 如果A0=0,則取出A13~A0的16KB位元組的8K偶位元組,與系統資料總線的低8位相連,
- A0=1,則取出A13~A0的16KB位元組的8K奇位元組,與系統資料總線的高8位相連,
而如果用6264給8088微機系統設計32KB的SRAM:
- 需要4片
- 地址線對聯8088地址線,資料線也對聯,
- 使CS2常有效
- OEfei,讀允許,在最大方式下,與MEMRfei相連;最小方式下,與RDfei相連,
- WEfei,寫允許,最大方式下,與MEMWfei相連,最小方式下,與WRfei相連,
- CS1fei片選信號,地址線的高位(接入譯碼電路產生控制信號,再接過來片選,
上述思路是位元組擴展,P198 6.4.2
注意譯碼電路不僅是地址,還有控制信號,比如8088最小方式中有IO/Mfei,表示對存盤器操作,
這里實際只需要兩位A13和A14來選擇芯片塊,同時也可以再加上其他不變的高位地址線,參與譯碼
3.2 SRAM:Intel 2114
1K×4bit,有10根地址線,4位資料線,
- CSfei,低電平選中
- WEfei,管理讀寫,低電平寫入存盤器,高電平輸出,
使用2114給8088系統擴充4KB存盤系統:
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需要8片
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先兩兩相并位擴展,再串聯位元組擴展,
3.4 EPROM 2764
8K×8,所以13根地址線,8根資料線
- CEfei:片選信號
- OEfei:片選有效且低電平,讀出資料(也就是只讀狀態)
- VCC:作業電壓
- VPP:編程電壓輸入,需要查公司型號手冊
- PGMfei:低電平(負脈沖),編程允許引腳
要對2764先擦除后寫入資料:
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擦除,
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OEfei無效,CEfei有效,
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不是直接接到地址線和資料線,兩邊各需要一個鎖存,將地址和資料都鎖存起來
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當上層命令來到,VPP電壓加上,PGM加負脈沖,在這個負脈沖期間,鎖存也解除,向選中地址寫入相應資料
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CE OE有效,將寫入的資料讀出(無鎖存器的通道),比較是否符合預期,如果符合,則寫入完成,
如果不相等,可重新操作,如果多次操作不行,可能地址單元損壞,
hhh,學了這個可以做編程器了...
2764的正常作業/只讀模式:
- 只需要考慮地址(奇偶等等)、資料(單向輸出)、CE片選信號、OE連接MEMRfei,不考慮VPP和PGM(接+5V即可)
4. 存盤器擴展設計
4.1 存盤器地址譯碼方法
- 全地址譯碼方法:全部地址線來譯碼,浪費硬體設計資源(因為地址線都要引過來),但是可以唯一確定一個存盤單元的地址,
- 部分地址譯碼方法:譯碼電路簡單,但會發生地址空間重疊,
例題見書P200 6.1
4.2 8088系統存盤器擴展
P205 例6.5
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第一題,簡單,16KB為2的14次方,16進制是4000H,地址范圍就是80000H~83FFFH
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第二題:
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進行地址分析:
- 需要兩片6264
- 低13位片內選址,A13選擇兩片之一
- A19~A14六根線,在此題不變,且為10_0000
- 這樣就保證了連續地址,
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邏輯電路(不用型號):
- 需要加入控制信號,表明是對存盤器操作,
整體設計如下圖所示:
如果使用74LS138來做譯碼器(這個我沒有學,跟上圖原理相同,只不過封裝了一些東西)
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第三題:用到一點點匯編知識,這里55H和AAH資料圖案檢測,給要檢測的RAM存盤區每個地址單元分別寫入55H(0101_0101)和AAH(1010_1010),并讀出比較是否符合預期,如果符合,則讀寫正常,如果不正常,則應作出相應出錯報警提示,
MOV AX,8000H MOV DS,AX MOV SI,0 MOV CX,16*1024 MOV AL,55H NEXT1: MOV [SI], AL MOV BL, [SI] CMP BL, AL JNE ERROR ;不相等則轉到ERROR INC SI ;地址增加繼續比較 LOOP NEXT1 MOV SI,0 MOV CX,16*1024 MOV AL, 0AAH NEXT2: MOV [SI],AL MOV BL,[SI] CMP BL,AL JNE ERROR INC SI LOOP NEXT2 ... ERROR: ...- 資料線粘連故障:檢測思路就是55H和AAH
- 地址線鏈橋故障:先把存盤器刷成00H,然后向00H處寫入01H,檢測其他地址單元是否改變,00H地址單元左移為02H,看其他地址單元內容是否改變......這樣就可以找出地址線粘連發生的不同地址內容的重寫問題,
- BIOS中自檢就是排除這些故障,程式會更加豐富,
4.3 8086系統存盤器擴展
擴展原理基本相同,相較于8088,多的是奇偶地址的片選:
- 上圖沒有體現出來的是,A0和BHEfei還要跟相應控制信號一起進行邏輯運算才行,比如最大方式下MEMRfei、MEMWfei和M/IOfei,最小方式下RDfei、WRfei和M/IOfei
- 此外512k的芯片上還應有CE和OE,分別是
- CEfei:片選信號,
- OEfei:讀允許
- WEfei:寫允許
P208 例6.6:
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上圖改為74LS138,但這個器件我不總結了,我沒學,
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設計圖如下圖所示:
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