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痞子衡嵌入式:簡析i.MXRT1170 Cortex-M7 FlexRAM ECC功能特點、開啟步驟、性能影響

2020-09-11 17:49:54 作業系統


  大家好,我是痞子衡,是正經搞技術的痞子,今天痞子衡給大家分享的是恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7內核的FlexRAM ECC功能

  ECC是“Error Correcting Code”的簡寫,ECC能夠實作錯誤檢查和糾正,含有ECC功能的記憶體一般稱為ECC記憶體,使用了ECC記憶體的系統在穩定性和可靠性上得到很大提升,相比前幾代不帶ECC的i.MXRT10xx型號,新一代i.MXRT1170在ECC上做了全面武裝,從eFuse到FlexRAM,從OCRAM到外部存盤空間全都加上了ECC功能,如下表所示,不同型別的存盤由不同的ECC控制器來守護:

  今天痞子衡就先給大家簡單介紹一下i.MXRT1170上Cortex-M7內核下的FlexRAM ECC功能:

一、FlexRAM ECC功能簡介

1.1 FlexRAM v2特點

  i.MXRT1170上的FlexRAM模塊是v2版本,相比i.MXRT10xx上的FlexRAM v1版本,主要就是增加了ECC功能,關于FlexRAM v1基本功能,建議你先閱讀痞子衡之前寫過的文章 《恩智浦i.MX RT1xxx系列MCU外設那些事(2)- 百變星君FlexRAM》,痞子衡今天主要聊v2新增的功能,
  我們知道i.MXRT1170是Cortex-M7和Cortex-M4雙核架構,我們看下它的CM7內核系統框圖,FlexRAM本質上是為CM7內核設計的,因為其管理的TCM空間僅能由CM7訪問的,不過如果將FlexRAM也分配出一部分給OCRAM,這部分OCRAM(即文章開頭memory map表里從0x20360000開始的空間)其實CM4也能正常訪問,
  在框圖中你還會發現,FlexRAM中物理SRAM總大小是640KB,不是我們知道的可自由配置的512KB,這是因為需要額外128KB RAM來存放ECC校驗值,關于這個細節在下一節里展開聊,

1.2 關于ECC設計細節

  關于ECC,大家最早接觸的應該是ONFI Raw NAND上的應用,NAND Flash因為其物理特性的原因(允許壞塊的存在),必須要包含ECC功能,痞子衡寫過的一篇文章 《并行NAND介面標準(ONFI)及SLC Raw NAND簡介》, 里面的 2.6 Raw NAND壞塊與ECC 簡單介紹了ECC在Raw NAND上的應用,
  在Raw NAND上,通常是每寫入512bytes資料計算出一個ECC校驗值(4bytes),讀取時也是讀完全部512bytes資料后進行ECC校驗,ECC校驗能力一般用 (n+1) bit檢錯,n bit糾錯 來表達,即這512bytes資料里如果發生n+1 bit及以下的錯誤時能夠檢查出來,如果發生n bit及以下的錯誤時,能夠自動糾正,比如典型的Micron MT29F4G08就是5-bit檢錯,4-bit糾錯,
  但是FlexRAM本質上是RAM,跟Flash(尤其是NAND)讀寫機制不一樣,RAM是隨機地址按Byte讀寫,NAND是以Page為單位順序讀寫,所以NAND上ECC實作機制不適用于RAM,那么FlexRAM到底采用的是什么樣的ECC設計呢?

1.2.1 ECC檢驗能力

  好了,不賣關子了,公布答案,FlexRAM中每4bytes(針對DTCM)或8bytes(針對ITCM/OCRAM)資料就會計算出一個ECC校驗值(7/8bits),ECC校驗值都被放在了ECC RAM里,因為校驗資料塊分割得很小,所以此時不需要提供多bit糾錯能力,FlexRAM采用的是最經典的Single-bit Error Correction and Dual-bit Error Detection(SEC-DED,漢明校驗碼),關于SEC-DED,你可以去Linux內核里看其在NAND上應用的原始碼實作 nand_ecc.c,寫得非常經典,

存盤型別 ECC校驗資料塊大小 ECC校驗值長度 ECC校驗能力
Raw NAND 512 bytes 4 bytes 5-bit檢錯,4-bit糾錯
FlexRAM 4/8 bytes 7/8 bits 2-bit檢錯,1-bit糾錯
1.2.2 ECC RAM分配

  128KB ECC RAM并不是只能用來存盤ECC校驗值的,其也可以當做普通OCRAM來使用,ECC RAM具體功能是根據當前FlexRAM分配以及ECC是否開啟而定的,eFuse里默認的512KB FlexRAM配置是256KB ITCM, 256KB DTCM, 沒有OCRAM,
  在默認FlexRAM配置情況下,如果TCM ECC沒有開啟,那么128KB ECC RAM全部都是普通OCRAM,其地址空間如下表所示:

  在默認FlexRAM配置情況下,如果TCM ECC已經開啟,那么128KB ECC RAM全部都用來存盤ECC校驗值,這個區域僅能由FlexRAM模塊內部訪問,用戶無法訪問這128KB區域(不在memory map空間里),畢竟ECC校驗值不能被隨便改,

  如果我們在eFuse或者IOMUXC_GPR暫存器里將FlexRAM配置改掉,分配出一部分給OCRAM(比如256KB TCM, 256KB OCRAM),那這128KB ECC RAM功能分配就稍微復雜一些了,最簡單的情況是TCM和OCRAM ECC都沒有開啟,那么這128KB ECC RAM還是普通OCRAM,map地址是緊跟在FlexRAM OCRAM后面的,如下表所示:

  如果TCM和OCRAM ECC都開啟了,那么這128KB ECC RAM就還是全部用來存盤ECC校驗值了,用戶無法訪問,

  如果OCRAM ECC沒有開啟,不管TCM ECC是否開啟,這128KB ECC RAM中本用于存盤OCRAM ECC的區域都將被劃分為普通OCRAM,另一部分用于存盤TCM ECC的區域(無論是否真的要存盤ECC校驗值)用戶則無法訪問,區域劃分比例與OCRAM在總FlexRAM大小中占比保持一致,比如512KB FlexRAM(一共16個bank,每個bank 32KB)劃分出了256KB OCRAM,那么128KB ECC RAM(也是16個bank,每個bank 8KB)則劃出了64KB作為普通OCRAM,如下表所示:

1.2.3 ECC錯誤觸發處理

  ECC錯誤分兩種,分別是1-bit錯誤和2-bit錯誤,從軟體層面來看,1-bit錯誤可以不用管,FlexRAM模塊會自動糾錯,我們主要處理2-bit錯誤,由于2-bit錯誤僅能檢錯,無法糾錯,所以發生了這個錯誤,就意味著讀取的資料不可靠了,需要丟棄并重新寫一次(丟棄之前可以再retry read一次看是否還是報錯),
  關于ECC錯誤處理,可根據如下FlexRAM暫存器來操作,首先當然是在INT_SIG_EN暫存器中使能multi-bit ECC Error,當有2-bit錯誤發生時,系統會觸發FLEXRAM_IRQn(中斷號是50),在中斷處理程式里找到相應的ECC_MULTI_ERROR_ADDR,對這個地址重新寫一次初始化資料(按ECC校驗塊長度一次性寫入),最后清除INT_STATUS暫存器里的相應狀態位,
  需要注意的是,上述處理流程僅對FlexRAM中存放的是普通業務資料且發生ECC錯誤時有效,如果ECC錯誤發生在關鍵代碼段或變數段中,這個處理是不適用的,因為這種ECC錯誤可能會造成程式崩潰,

Offset Register
10h Interrupt Status Register (INT_STATUS)
14h Interrupt Status Enable Register (INT_STAT_EN)
18h Interrupt Enable Register (INT_SIG_EN)
30h OCRAM multi-bit ECC Error Address Register (OCRAM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR)
50h ITCM multi-bit ECC Error Address Register (ITCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR)
6Ch D0TCM multi-bit ECC Error Address Register (D0TCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR)
84h D1TCM multi-bit ECC Error Address Register (D1TCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR)

二、開啟FlexRAM ECC的步驟

  FlexRAM ECC需要按照標準步驟去開啟,需要特別注意的是開啟ECC操作的代碼不能放在待開啟ECC的FlexRAM空間里(比如TCM ECC要開啟,那么開啟ECC操作的代碼不能使用任何TCM空間),因此不管是XIP還是Non-XIP應用程式,最好是用一個二級loader(這個loader可以鏈接在固定OCRAM1/2空間里,或者XIP)來完成ECC開啟操作然后再加載應用程式執行,痞子衡給了如下示例loader代碼工程,代碼里主要有四個步驟:

參考代碼:https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/blob/master/apps/coremark_imxrt1176/cm7_loader/loader.c

2.1 使能TCM的RMW(可選)

  如果需要開啟TCM ECC,那么首先需要在CM7內核暫存器里開啟TCM RMW(Read-Modify-Write)功能,這是ARM的規定,可在 Cortex-M7 Technical RM 手冊里找到相關資訊如下,手冊里明確寫了RMW位同時也控制了外部邏輯(即MCU廠商的設計)來支持ECC功能,

  操作函式代碼如下:

void enable_cm7_tcm_rmw(void)
{
    SCB->ITCMCR |= SCB_ITCMCR_RMW_Msk;
    SCB->DTCMCR |= SCB_DTCMCR_RMW_Msk;
}

2.2 使能FlexRAM的ECC

  現在需要開啟FlexRAM ECC,在i.MXRT1170參考手冊里的FlexRAM章節可以找到FLEXRAM_CTRL暫存器定義,其中bit5和bit4就是用來分別控制TCM和OCRAM的ECC開關,

  操作函式代碼如下:

void enable_flexram_tcm_ecc(void)
{
    *(uint32_t *)(FLEXRAM_BASE + 0x108) |= (1u << 5);
}

void enable_flexram_ocram_ecc(void)
{
    *(uint32_t *)(FLEXRAM_BASE + 0x108) |= (1u << 4);
}

2.3 初始化FlexRAM的ECC值

  FlexRAM ECC開啟了之后,此時還不能隨機訪問FlexRAM,因為初始ECC校驗值還沒有填充,如果這時候去讀FlexRAM會產生錯誤,我們首先需要將會用到的FlexRAM空間全部初始化一遍(就是以ECC校驗資料塊大小對齊方式從頭到尾寫入一遍,寫入內容不限,正常用全0),
  操作函式代碼如下:

#define ITCM_START   0x00000000
#define ITCM_SIZE    (256*1024U)  //只是示例長度,根據實際情況修改
#define DTCM_START   0x20000000
#define DTCM_SIZE    (256*1024U)  //只是示例長度,根據實際情況修改
#define OCRAM_START  0x20360000
#define OCRAM_SIZE   (256*1024U)  //只是示例長度,根據實際情況修改

void init_flexram_itcm_ecc(void)
{
    for (uint32_t i = 0; i < ITCM_SIZE; i += sizeof(uint64_t))
    {
        *(uint64_t *)(ITCM_START + i) = 0;
    }
}

void init_flexram_dtcm_ecc(void)
{
    for (uint32_t i = 0; i < DTCM_SIZE; i += sizeof(uint32_t))
    {
        *(uint32_t *)(DTCM_START + i) = 0;
    }
}

void init_flexram_ocram_ecc(void)
{
    for (uint32_t i = 0; i < OCRAM_SIZE; i += sizeof(uint64_t))
    {
        *(uint64_t *)(OCRAM_START + i) = 0;
    }
}

2.4 加載應用程式執行

  當FlexRAM初始ECC校驗值已經被填充之后,此時便可以正常隨機讀寫FlexRAM了,如果此時加載的是一個在ITCM里執行并且data段在DTCM里的應用程式,可以參考痞子衡前面給出的示例loader工程,
  這是loader工程完整主函式代碼,其中memcpy那一句代碼里的cm7_app_code是應用程式binary陣列(用Python腳本將應用程式工程生成的.bin檔案轉換成C語言陣列放到loader工程源檔案里),

#define APP_START 0U

int main(void)
{
    enable_cm7_tcm_ecc();
    enable_flexram_tcm_ecc();
    init_flexram_itcm_ecc();
    init_flexram_dtcm_ecc();

    // Copy image to RAM.
    memcpy((void *)APP_START, cm7_app_code, APP_LEN);
    
    uint32_t appStack = *(uint32_t *)(APP_START);
    uint32_t appEntry = *(uint32_t *)(APP_START + 4);

    // Turn off interrupts.
    __disable_irq();

    // Set the VTOR to default.
    SCB->VTOR = APP_START;

    // Memory barriers for good measure.
    __ISB();
    __DSB();

    // Set main stack pointer and process stack pointer.
    __set_MSP(appStack);
    __set_PSP(appStack);

    // Jump to app entry point, does not return.
    void (*entry)(void) = (void (*)(void))appEntry;
    entry();
}

三、ECC對記憶體訪問性能的影響

  FlexRAM開了ECC后,訪問性能會有一定降低,畢竟資料訪問中插入了額外的ECC校驗作業,不過這個影響非常小,因為一次ECC校驗僅增加1-2個機器cycle,下面是FlexRAM分配出的不同存盤型別的基本情況,其中OCRAM可以被L1 Cache加速,所以從應用程式角度開ECC對其訪問性能影響就更小了,我們主要討論ECC對TCM性能的影響,

FlexRAM分配型別 ECC校驗資料塊大小 總線型別 訪問速度 L1 Cache加速
ITCM 8 bytes ITCM_ITF 64-bits 與CM7同頻
DTCM 4 bytes DTCM_ITF 2x32-bit 與CM7同頻
OCRAM 8 bytes AXI64 與CM7頻率的1/4

  為了簡化測驗,痞子衡就用經典的benchmark程式(Coremark和Dhrystone)來測驗ECC對TCM的影響,測驗工程如下:

Coremark工程:https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/tree/master/apps/coremark_imxrt1176/bsp/build7804_cm7_loader
Dhrystone工程:https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/tree/master/apps/dhrystone_imxrt1176/bsp/build8402_cm7_loader

  需要特別提醒的是,我們知道i.MXRT1170 CM7內核最高可以配置到1GHz,但是開了TCM ECC后,為了保證訪問可靠性,此時CM7內核最好是作業在800MHz,下面的benchmark結果也是在800MHz主頻下得到的:

Benchmark型別 TCM ECC開關 Benchmark結果
coremark 關閉 Total ticks : 2023600
Total time (secs): 20.236000
Iterations/Sec : 3953.350465
Iterations : 80000
CoreMark 1.0 : 3953.350465
coremark 開啟 Total ticks : 2023657
Total time (secs): 20.236570
Iterations/Sec : 3953.239111
Iterations : 80000
CoreMark 1.0 : 3953.239111
dhrystone 關閉 Dhrystones per Second: 3622138.51
DMIPS: 2061.5472
DMIPS/MHz: 2.0698
dhrystone 開啟 Dhrystones per Second: 3621977.04
DMIPS: 2061.4553
DMIPS/MHz: 2.0697

  從benchmark結果來看,ECC是否開啟對性能影響特別小,可以忽略,當然benchmark測驗并不是特別精確地反映了性能影響,底下有空痞子衡會再專門用memcpy函式來測驗性能影響,

  至此,恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7內核的FlexRAM ECC功能痞子衡便介紹完畢了,掌聲在哪里~~~

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