MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設備介面的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針介面在邏輯上組織為32Kx8的存盤器陣列， SPI）總線，串行MRAM實作了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作，與可用的串行存盤器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機和運行能力以及更可靠的資料保留，
對于MRAM，基于Everspin Technologies的256kb串行SPI MRAM MR25H256進行評估，表3顯示，當使用去耦電容器的所有能量時，每個資料位元組的能量最低，應選擇去耦電容的大小，以匹配系統通常獲取的資料量，
-μF電容器允許以40 MHz在SPI總線上寫入50位元組（46個資料位元組），而MRAM消耗27 mA，此計算是使用46個位元組進行比較的來源，
MCU和LDO消耗的能量
對于MCU，可能需要100μs的時間才能喚醒，進行測量，并將結果傳達給非易失性存盤器并進行必要的內部管理，在此期間，我們假設有功電流消耗為500μA（運行于約5 MHz的小型MCU的典型值），因此，每次資料采集消耗的能量為3.3 V×500μA×100μs= 0.165μJ，
除了進行采集的能量外，我們還應考慮在非易失性存盤器寫入期間保持MCU處于活動狀態所需的能量，當不獲取或存盤資料時，MCU處于休眠狀態，消耗5μA電流，假定電源為一個LDO，在所有操作階段（活動和睡眠）均消耗1μA電流，
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