Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存盤器，其快速是相對于EEPROM而言的，Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand Flash兩大類，
Nor Flash
Nor Flash的特點是芯片內執行(XIP )，應用程式可以直接在記憶體Flash內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中，Nor Flash的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，
Nand Flash
Nand Flash的結構能提供極高的單元密度，可以達到高存盤密度，并且寫入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比較復雜，
非易失性存盤器–Nor Flash
Nor Flash根據資料傳輸的位數可以分為并行和串行，并行Nor Flash每次傳輸多個bit位的資料;而串行Nor Flash每次傳輸一個bit位的資料，并行Nor Flash比串行Nor Flash具有更快的傳輸速度，
串行Nor Flash
主要介面有SPI、Dual SPl、Quad SPI模式，
并行Nor Flash
主要介面有8位、16位、8位/16位可選的資料傳輸方式，
非易失性存盤器-Nor Flash特點
特點:Nor Flash是非易失存盤,一般用于程式代碼存盤
主推容量256Kb-512Mb
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分廣泛，
并行:MCU需帶外部總線,速度快,內部無FLASH等
用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平臺上
非易失性存盤器-Nand Flash特點
特點:容量大，寫速度快等優點適用于大資料的存盤
主推容量512Mb-8Gb
并行:MUC帶外部存盤控制器、資料量大、速度快
用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等作業系統
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小
目前只有GD(北京兆易）在生產相關的產品但我們不推該產品線的存盤
Flash的應用
Nor Flash與Nand Flash的區別
NOR
1.讀速度快，寫速度慢
2擦除速度慢
3.擦除次數約10萬次
4.容量小256Kb-512Mb
5.單位容量價格高，適用于小容量程式存盤
6.不易產生壞塊
NAND
1.讀速度慢，寫速度快
⒉擦除速度快（( 1000:1)
3.擦除次數約100萬次
4.容量大512Mb-8Gb
5.單位容量價格低，適用于大容量資料存盤
6.較易產生壞塊，需ECC校驗儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存盤方案解決商，
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