近年來，片上存盤器發展迅速，根據國際半導體技術路線圖（ITRS），隨著超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發展，晶體管特征尺寸進一步縮小，半導體存盤器在片上存盤器上所占的面積比例也越來越高，接下來宇芯電子介紹SRAM的作業原理以及作業程序，
SRAM 寫操作，
寫操作就是把資料寫入指定的SRAM 存盤單元中，首先片選信號CEBB 置為低電平，讀控制電路開始運作，10 位寫地址線AB0-AB9、16位資料輸入DI0-DI15 準備就緒，地址信號有效，系統開始譯碼、選擇要寫入的存盤單元以及需要寫入的資料，當時鐘信號CKB 高電平到來時，CKB 信號控制譯碼電路完成最后的譯碼，行譯碼電路選中的那一行存盤單元寫字線WWL 將會打開；16 位資料經過輸入輸出電路中的寫電路傳遞到寫字線BL 上，從而把資料寫入選中的存盤單元，
SRAM 讀操作，
讀操作即是把SRAM 陣列中指定單元中存盤的資料讀取出來，片選信號CEBA 置為低電平，讀控制電路運作，與寫操作相同，10 位讀地址線AA0-AA9 提前準備就緒，經過譯碼器選擇指定的存盤單元；同時讀位線RBL 被預充電到高電平，預充電一段時間后時鐘信號CKA 到來，譯碼完成，打開指定存盤單元的讀字線RWL，對存盤單元進行讀操作，此時靈敏放大器被激活，讀位線RBL 上的電壓變化會傳遞到靈敏放大器中，靈敏放大器可以根據RBL的電壓變化情況把結果送到輸出電路，輸出的二進制序列從埠DO0-DO15 讀出，從而讀出特定存盤單元的資料，
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