與大多數其他半導體存盤技術不同，資料存盤為磁性狀態而不是電荷，并通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態，使用磁性狀態進行存盤有兩個主要好處，首先磁極化不會像電荷一樣隨時間泄漏，因此即使關閉電源，資訊也會被存盤，其次在兩種狀態之間切換磁極化不涉及電子或原子的實際運動，因此不存在已知的磨損機制，
Everspin MRAM器件旨在結合非易失性存盤器和RAM的最佳功能，為越來越多的電子系統提供“即時接通”功能和斷電保護，
Everspin MRAM技術產品組合
Everspin切換MRAM技術
Everspin MRAM與標準CMOS處理集成Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存盤元件，每個存盤元件都將一個磁性隧道結（MTJ）器件用于存盤單元，
磁性隧道結存盤元件
磁性隧道結（MTJ）存盤元件由固定磁性層，薄介電隧道勢壘和自由磁性層組成，當對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的程序穿過介質阻擋層，
當自由層的磁矩平行于固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻，電阻隨設備磁性狀態的變化是一種被稱為磁阻的效應，因此被稱為“磁阻” RAM，
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標籤：嵌入式
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