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re建模的基本思路是，將BJT晶體管的輸入埠（通常為發射結）近似視為一個等效二極管，將輸出端埠（通常為集電極和一個公共端子，公共端子是B還是E，取決于電路是共基接法還是共射接法）近似視為一個等效的受控電流源，
下面我們分別詳細介紹共基、共射、共集組態的re模型，
1. 共基組態
共基組態的基本接法和近似等效電路如下圖所示，我們這里先對npn型晶體管進行分析：
圖4-4.01
圖中，黑色字體的v和i是標準二埠的規定方向，而實際BJT中的電壓電流方向我們用藍色予以表示，
注意上面電路中的電壓/電流符號用的都是交直流總和形式，下面我們進行直流和交流的分離：對于二極管，在靜態作業點附近可等效視為為一個交流電阻（參見：1-4 二極管的電阻）；而對于受控電流源，其直流α引數和交流α引數是非常接近的，因此，可以得到純交流部分的等效電路如下圖所示：
圖4-4.02
對于純交流電路，我們所有的電壓電流引數使用的都是相量表示法（變數大寫、下標小寫，如：Vi、Ie），這個和交流分量的寫法（如：vi、ie）的含義是一致的，寫成相量形式表示法，對今后的計算會比較方便，
（題外話：在電路基本理論中，這個名詞的寫法是“相量”（phasor），不是數學中的“向量”（vector），相量是一個復數！）
下面我們計算共基組態re模型的4個典型交流引數：（交流）輸入阻抗、（交流）輸出阻抗、（交流）電壓放大倍數、（交流）電流放大倍數，為敘述簡潔，人們一般都會省略“交流”兩字，但你心里要清楚，這4個量都是基于交直流分離后的純交流電路而言的，
● 輸入阻抗：
輸入阻抗比較簡單，從圖中一眼就可以看出，輸入阻抗就是二極管交流電阻：
● 輸出阻抗：
從上圖4-4.02中可以看到，在二埠的輸出部分是一個受控電流源，其電流僅受輸入端的電流Ie控制，基本不受輸出端電壓Vo的影響，根據電路理論，理想電流源的內阻為無窮大（不管是獨立電流源還是受控電流源），因此，輸出阻抗為無窮大，
比如：假設將輸入電流Ie置于0，則輸出電流Ic也為0，不管在輸出端外加多大的電壓Vo，輸出埠始終無電流通過，相當于開路狀態，則根據輸出電阻的定義式：
事實上，上面這個結論只是由我們的re簡化模型的電路圖得出的理想情況，共基組態真實的輸出阻抗應該從晶體管共基組態的輸出曲線上讀出，從下圖的共基組態輸出曲線中可以看出，在放大區，每一根“輸出總電壓（VCB）”與“輸出總電流（Ic）”曲線的斜率都接近水平（即斜率k接近于0），則動態電阻（為斜率k的倒數）接近無窮大，但并不是真正的無窮大，一般根據廠商的實測資料，共基組態的BJT晶體管的輸出阻抗Zo通常都在兆歐級，在通常的簡化計算中，我們將其近似看作無窮大，
圖4-4.03
● 電壓放大倍數：
計算電壓放大倍數，需要在輸出端接上負載電阻，如下圖所示：
圖4-4.04
輸入電壓Vi和輸出電壓Vo分別為：
因此電壓放大倍數為：
說明：從上式可以看到，共基放大電路的電壓放大倍數不僅取決于BJT本身的性能，還取決于外接的負載電阻RL的值，
● 電流放大倍數：
電流放大倍數為輸出電流Io和輸入電流Ii的比值：
案例4-4-1：對于下圖的共基組態re等效模型，已知IE=3mA，α=0.98，試求：（1）輸入阻抗；（2）電壓放大倍數；（3）電流放大倍數；
圖4-04.a1
解：（1）輸入阻抗re由二極管的靜態作業電流決定：
（2）電壓放大倍數為：
（3）電流放大倍數為：
對于pnp型晶體管，其分析方法也是類似的，只是其中有些電流與電壓的方向不同：輸入電流iI與輸入埠的實際電流iE同方向；輸出電流iO與輸出埠的實際電流iC反向，如下圖所示：
圖4-4.05
其4個典型交流引數的最終計算結果與npn型的結論是一致的：
2. 共射組態
共射組態的基本接法和近似等效電路如下圖所示，我們這里同樣先對npn型晶體管進行分析：
圖4-4.06
然后進行直流和交流的分離：對于二極管，在靜態作業點附近可等效視為為一個交流電阻；而對于受控電流源，其直流β引數和交流β引數也是非常接近的，因此，可以得到純交流部分的等效電路如下圖所示：
圖4-4.07
下面我們計算共基組態re模型的4個典型交流引數：
● 輸入阻抗：
輸入阻抗的計算式為：
而Vbe為：
將Vbe代入上式得：
對于共射組態，一般的β典型值在幾十到幾百左右，re的典型值大概為幾歐到十幾歐左右，故輸入阻抗Zi的典型值一般為幾kΩ量級，
算出輸入阻抗后，我們可以對共射組態的re模型電路作等效變形，把輸入和輸出的電路分離開，如下圖所示的樣子：
圖4-4.08
輸入阻抗化為一個獨立的βre（嚴格來講應該是(1+β)re，近似為βre），輸出電流仍然同Ic，并且受Ib控制，電路作了以上等效變形后，在后續的計算上會方便很多，后文中，我們都將使用這個等效變形后的共射組態re模型電路，
● 輸出阻抗：
在二埠的輸出部分是一個受控電流源，其電流僅受輸入端的電流Ib控制，基本不受輸出端電壓Vo的影響，根據電路理論，理想電流源的內阻為無窮大（不管是獨立電流源還是受控電流源），因此，輸出阻抗為無窮大，
比如，假設將輸入電流Ib置于非常小（近似于0），則根據輸出電阻的定義式：
同樣的，上面這個式子只是由re簡化模型的電路圖得出的理想情況，真正的輸出阻抗應該從晶體管共射組態的輸出曲線上讀出，其輸出曲線如下圖所示，
圖4-4.09
輸出阻抗實質上就是輸出曲線的動態電阻，不過和共基組態相比，共射組態的各條輸出曲線并不那么水平，因此，其真正的輸出阻抗要比共基組態小得多，其在各點的輸出阻抗即為輸出曲線在這個點處的斜率的倒數，而且在不同點的輸出阻抗都不相同，靜態集電極電流IC越大，則斜率越陡，輸出阻抗越小，
一般廠商在資料手冊中都會給出幾個典型作業點的測驗資料，對于共射組態的輸出阻抗Zo，其典型值大約在幾十kΩ左右，
下圖是修正過的共射組態的re模型，圖中加上了非理想輸出電阻ro的影響：
圖4-4.10
● 電壓放大倍數：
計算電壓放大倍數，需要在輸出端接上負載電阻，為簡化說明概念，我們暫時先不考慮非理想輸出電阻ro的影響，如下圖所示：
圖4-4.11
輸入電壓Vi和輸出電壓Vo分別為：
因此電壓放大倍數為：
說明：從上式可以看到，共射放大電路的電壓放大倍數也不僅取決于BJT本身的性能，還取決于外接的負載電阻RL的值，負號表明，輸出電壓和輸入電壓的方向相反，
● 電流放大倍數：
電流放大倍數為輸出電流Io和輸入電流Ii的比值：
● 厄利電壓：
我們回顧一下上面的共射組態的輸出特性曲線（圖4-4.09），雖然各條曲線的斜率都各不相同，但它們之間其實是有規律的，所有的放大區的直線反向延長后都會交于一點，如下圖所示：
圖4-4.12
這個規律最早在1952年由James M. Early發現的，故圖中這個交點處的電壓VA稱為Early電壓（厄利電壓），一般厄利電壓的典型值在50~300V左右，知道了這個特性，輸出阻抗（即輸出曲線的動態電阻）就可以從靜態電壓電流計算得到，上圖中Q1點處的斜率為：
由于VCEQ一般比VA小一個數量級，故上式可近似為：
故在靜態作業點Q1處的輸出阻抗為：
關于厄利電壓，一般只要知道一下其原理即可，實際應用中不常會用到，
3. 共集組態
對于共集電極組態，通常采用和共射組態相同的re模型，其主要的應用就是“射極跟隨器”，在后面的章節中我們會詳細分析，
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（ end of 4-4）
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