初學電源，便被其吸引，只是知識太多，容易遺忘，故將學習內容，記錄于此。
MOSFET是開關電源極其重要的部件，如今集成化越來越高，許多開關電源控制器將FET與控制器集成一體，使得設計越來越簡單，可靠性極大提高。高度集成的控制器，使得設計更加局限，體積小，使器件無法用于大功率電源。
將FET作為控制器外部器件，使得設計具有更大的靈活性，實作最大散熱，應用的功率范圍更加廣泛。
選擇FET，應考慮其額定電壓，作業環境溫度，開關頻率，控制器驅動能力，散熱組件面積。由于開關電源損耗，FET的結溫會受到影響，影響結溫因素包括FET功耗，散熱組件面積以及環境溫度。
開關電源與線性電源相比，最大的優勢在于高效率，其功率損耗主要體現在磁性器件與開關器件。磁性器件的損耗包括直流損耗與交流損耗，在后面學習中定會更加清楚，而開關器件的損耗同樣包含直流與交流損耗，直流損耗主要體現于器件導通時刻，FET內阻所產生的損耗，與流過FET的電流，開關導通時長有關；交流損耗產生的原因是由于開關導通與關斷存在過度，電壓電流同時存在，以此導致交流損耗。所以，交流損耗與漏源之間的電壓，電流相關，與開關的上升沿與下降沿的時間，個數相關。由此知，降低直流損耗的有效方法是減小內阻，降低開關損耗可以降低開關頻率，降低輸入電壓等實作。
轉載請註明出處，本文鏈接：https://www.uj5u.com/qita/101481.html
標籤：非技術區
上一篇：電腦
下一篇：78. 子集