半導體:硅（Si）、鍺（Ge），均為四價元素。
1% 本征半導體是純凈的晶體結構的半導體。
自由電子的產生使共價鍵中留有一個空位置，稱為空穴，其帶正電，有一個自由電子就有一個空穴。當自由電子與空穴相碰時同時消失，稱為復合。
載流子是運載電荷的粒子。載流子少，導電性就差。
半導體器件導電的性能和溫度有關，溫度越高，熱運動加劇，載流子濃度增加，導電性變強。
2% 雜質半導體分兩種 N型和P型
N型半導體參入五價磷元素，自由電子數目增加，空穴數目減少。
P型半導體參入三價硼元素，主要靠空穴導電。
3%PN結 形成:物質因為濃度差而產生的運動稱為擴散運動。氣體液體固體都有之。P區空穴濃度遠高于N區，而N區自由電子濃度遠高于P區。在接觸面產生內電場。參與擴散運動和漂移運動的載流子數目相同，達到動態平衡，就形成了PN結。
PN結的獨特的導電性能:正向偏置使耗盡層變窄，形成擴散電流，PN結導通。PN結要有電阻來限流。反向偏置，耗盡層變寬，形成漂移電流（少數載流子的運動）。由于電流很小，可近似認為是截止的。即正向偏置導通，反向偏置截止。（單向導電性）
半導體的溫度穩定性差。
PN結的電容效應:
勢壘電容，反向偏置時，等效電容變化很大，主要表現在外加反向電壓時。Cb
擴散電容是在正向電壓時的等效電容Cd
結電容Cj=Cb+Cd，不是常量。
如果pn結外加電壓頻率高到一定程度，就會失去單向導電性。所以PN結有一個上限截止頻率。
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