大佬們,下面是看到的原文:
可以想見,也正是由于電中性條件的要求,可以往半導體內部注入少數載流子。例如,可以往n型半導體中注入空穴,因為注入的帶正電荷的空穴,立刻會被大量的多數載流子——電子所包圍(電子可以來自于表面或者雜質、缺陷),仍然能夠保持整個半導體是電中性的。
對于非熱平衡狀態的半導體,其中存在非平衡載流子,同樣也需要滿足電中性條件。例如,當注入有非平衡電子濃度Dn時,則必將同時出現非平衡空穴濃度Dp,并且它們在數量上相等,即Dn =Dp。
請問:
第一段,注入空穴后,電子包圍空穴,內部就顯中性了嗎?明明多了些空穴?難道電子也是從外部多出來的?
第二段,非平衡空穴從何而來?如果內部激發產生,但同時不是多了同樣數量的電子嗎?
懇求大佬們幫助解惑。
uj5u.com熱心網友回復:
晶體管原理理解上注意 整體都是電中性的,區域有電勢差轉載請註明出處,本文鏈接:https://www.uj5u.com/qita/129996.html
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