第1題

1

( 26分 )

解釋概念：Cache、主存、輔存、虛存、RAM、SRAM、DRAM、ROM、MROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory(每個2分)，

得分指導：

Cache：高速緩沖存盤器，位于CPU內部的一塊小容量高速存盤器，用于解決CPU和主存之間速度不匹配問題

主存：主存盤器，用于存放正在執行的程式和資料，CPU可以直接進行隨機讀寫，訪問速度較高

輔存：輔助存盤器，用于存放用戶所有的程式和資料，CPU不可以直接進行讀寫，訪問速度較慢

虛存：虛擬存盤器，輔存上用于模擬主記憶體存放正在運行的程式和資料的存盤空間，

RAM：半導體隨機存取存盤器，資訊能夠隨機讀出和寫入

SRAM：靜態半導體隨機存取存盤器，用來做為Cache

DRAM：動態半導體隨機存取存盤器，用來做為主存

ROM：只讀存盤器，資訊只能讀出不能寫入

MROM：掩膜式半導體只讀存盤器，由芯片制造商在制造時寫入內容，以后只能讀出而不能寫入

PROM：可編程只讀存盤器，由用戶根據需要確定寫入內容，只能寫入一次

EPROM：光擦可編程只讀存盤器，擦除依靠紫外線或者X射線照射芯片玻璃視窗通過電荷泄露來實作

EEPROM：電擦寫可編程只讀存盤器，擦除依靠特定的擦除電壓來實作

Flash Memory：閃速存盤器，或稱快擦型存盤器，是EEPROM的升級產品

第2題

2

( 14分 )

某機字長為32位，其存盤容量是64KB，按字編址它的尋址范圍是多少？（4分）按位元組編址它的尋址范圍是多少？（4分）試畫出主存按字地址和按位元組地址的記憶體地址分配圖（6分），

得分指導：

按字編址的尋址范圍就是0000H～3FFFH

按位元組編址的尋址范圍就是0000H～FFFFH

第3題

3

( 20分 )

設CPU共有16根地址線，8根資料線，并用 MREQ（低電平有效）作訪存控制信號， R/W作讀寫命令信號（高電平為讀，低電平為寫），現有8片8K×8位的RAM芯片與CPU相連，試回答：

（1）用74138(3:8譯碼器)畫出CPU與存盤芯片的連接圖(8分)；

（2）寫出每片RAM的地址范圍（8分）；

（3）如果運行時發現不論往哪片RAM寫入資料后，以A000H為起始地址的存盤芯片都有與其相同的資料，分析故障原因（4分），

得分指導：

（1）

（2）地址空間分配(每個1分)：

RAM0：0000H——1FFFH

RAM1：2000H——3FFFH

RAM2：4000H——5FFFH

RAM3：6000H——7FFFH

RAM4：8000H——9FFFH

RAM5：A000H——BFFFH

RAM6：C000H——DFFFH

RAM7：E000H——FFFFH

（3）如果運行時發現不論往哪片RAM寫入資料后，以A000H為起始地址的存盤芯片(RAM5)都有與其相同的資料，則根本的故障原因為：RAM5存盤芯片的片選輸入端很可能總是處于低電平，假設芯片與譯碼器本身都是好的，可能的情況有：

1）RAM5的CS端與MREQ端錯連或短路；

2）RAM5的CS端與地線錯連或短路，