初學MCU，C語言等知識的時候，對總線地址，ROM、RAM，flash，特殊暫存器等等都只是表面理解，突然想總結一下這幾年的理解，
RAM：
首先RAM是我們常人理解的運行記憶體，存盤在這里面的內容斷電以后就沒了，再次上點以后就要重新開始了，
那么我們思考再寫單片機程式的時候，哪些東西是掉電以后就沒了呢，
自然是我們的變數，但要只是是可以讀寫的變數哦，如果是只讀變數也就是常量是存盤在ROM空間的，
那我們再分一下可以讀寫的變數包含哪些；
不同的關鍵字修飾它可能就會不太一樣，
常用的static變數，全域變數，區域變數這些都是再RAM內，但是RAM可以分為三個區域，堆、堆疊、靜態存盤區；
1、堆 由程式員自動分配（malloc）以及釋放，這里的釋放很關鍵，一定要在使用完成后釋放記憶體(free)！！！
2、堆疊 編譯器自動分配的，我們的區域變數，函式的一些形參都會存盤在這個區域
3、靜態存盤區：這里存放的就是初始化的全域變數和static修飾的變數，這里注意只要是static修飾的變數都是存放在靜態存盤區的，
ROM/FLASH
關于ROM和flash，flash是ROM的一種；
所有的常量，只讀變數，還有代碼都是存盤在flash的，
大師匈碰到的問題：
前段時間在用一家國產的MCU，RAM空間比較小，大師兄在做一個加密演算法的時候碰到了空間不夠用的情況，
通過計算代碼的RAM占用情況，應該是夠用的，但是結果卻不夠用，
是因為原廠把flash分為了倆個區域，編譯器不能自動分配這倆個地址池，需要加關鍵字bank去修飾，程式員自己去分配，
還有就是因為編譯器做的不好，所以在C語言的情況下，有很多比較方便的寫法，但是涉及到直接尋址和間接尋址的關系，需要比較啰嗦，分開去寫，效率會更高，印象很深的是要注意不能多次傳參，受到他們堆疊級數的約束，
所以要參考他們給到的一些示意例程去寫，提高效率合理使用，
國產MCU或者是芯片這方面還需要加油，，，，
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