晶體管與場效應管的區別
這是一點點個人讀書時候摘抄的筆記，只希望能夠幫到你，來源——《模擬電子技識訓礎》（第五版，董詩白，高等教育出版社）侵刪，
場效應晶體管的柵極G、源極S、漏極D對應于晶體管的基極B、發射極E、集電極C，它們的作用相類似，
一、場效應管用柵-源電壓U-GS控制漏極電流I-D，柵極基本不取電流，而晶體管作業的時候基極總是要索取一定的電流，因此，要求輸入電阻高的電路應選用場效應管；而若信號源可以提供一定的電流，則可選用晶體管，
二、場效應管只有多子參與導電，晶體管內既有多子又有少子參與導電，而少子數目受溫度、輻射等因素影響很大，因而場效應晶體管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強，所以在環境條件變化很大的情況下應選用場效應晶體管，
三、場效應晶體管的噪聲系數很小，所以低噪聲放大器的輸入級要求信噪比較高的電路應該選用場效應晶體管，當然也可以選用特制的低噪聲晶體管，
四、場效應管的漏極與源極可以互換使用，互換后特性變化不大，而晶體管的發射極與集電極互換后特性差異很大，因此只在特殊需要時才互換，成倒置狀態，如在集成邏輯電路中，
五、場效應晶體管比晶體管的種類多，特別時耗盡型MOS管，柵-源電壓U-GS可正、可負、可零，均能控制漏極電流，因而在組成電路時場效應晶體管比晶體管更加的靈活，
六、場效應晶體管和晶體管均可用于放大電路和開關電路，它們構成了品種繁多的集成電路，但由于場效應晶體管集成工藝更簡單，且具有耗電低、作業電源電壓范圍寬等優點，因此場效應晶體管被越來越多的用于大規模和超大規模集成電路之中，
轉載請註明出處，本文鏈接：https://www.uj5u.com/qita/234887.html
標籤：其他
上一篇：幾個簡單有趣的shell腳本
下一篇：SQL——知識入門