半導體基礎知識
物質按照其導電能力可以分為導體、半導體和絕緣體三種型別，導電能力介于導體和絕緣體之間的物質叫做半導體，
本征半導體:
高度提純、結構完整的半導體單晶體叫做本征半導體，常用的半導體材料是硅（Si）和鍺（Ge），//均為四價元素，在組成本征半導體時，硅（鍺）原子按一定規律整齊排列，組成一定形式的空間點陣，每個硅（鍺）原子最外層的4個價電子與相鄰的4個硅（鍺）原子的各一個價電子形成4對共價鍵結構，共價鍵中的電子受兩個原子核引力的束縛，使得每個硅（鍺）的最外層形成擁有8個共有電子的穩定結構，
本征半導體中的載流子——自由電子和空穴
- 在絕對零度和無外界激發時，本征半導體中無載流子，沒有電流不能導電，
- 本征半導體受激發產生載流子——自由電子和空穴
價電子掙脫共價鍵的束縛成為自由電子，在共價鍵中留下一個空位，稱為空穴，自由電子帶負電、從電荷平衡角度來看，可以把空穴看作帶正電荷的粒子，所帶電荷與電子相等，極性相反，他們是成對出現的，稱為電子空穴對，其濃度相等，本征半導體呈電中性， - 本征半導體中載流子濃度受溫度影響較大，
本征激發-----復合-----動態平衡
雜質半導體
本征半導體有自由電子和空穴兩種載流子，但由于濃度較低，導電能力仍然很差，因而不宜在半導體器件制造中直接使用，如果在本征半導體中摻入微量的某種元素（雜質），就會使半導體的導電性能發生顯著變化，稱為雜質半導體，按摻入雜質的不同可以分為：N型半導體（電子半導體）和P型半導體（空穴半導體）兩大類
N型半導體
- 本征半導體中摻入微量的五價元素，構成N型半導體，
每個雜質原子都能提供一個自由電子，使半導體中的自由電子數量大大增加，導電能力也大大加強， - N型半導體中的“多子”（自由電子）和“少子”（空穴），
自由電子數遠大于空穴數，這種半導體主要依靠自由電子導電，所以自由電子稱為多數載流子，簡稱“多子”；空穴稱為“少數載流子”，簡稱“少子”，摻入的雜質越多，多子的濃度就越高，N型半導體的導電性能也就越強，并且空穴數比未加雜質時少，因為大量電子容易和空穴復合， - N型半導體呈電中性，
雜質原子可以提供電子，稱為施主電子，N型半導體中的正電荷量（正離子和本征激發的空穴）和負電荷量（雜質施放的電子和本征激發的電子所帶）相等，所以N型半導體呈現電中性，
****正離子處在晶體結構中不能自由移動，因此不是載流子，
P型半導體
- 本征半導體中摻入微量的三價元素，構成P型半導體，
在常溫下，每個雜質原子都能引起一個空穴，從而使半導體中空穴數量大大增加， - P型半導體中的“多子”（空穴）和“少子”（自由電子），
空穴數遠大于自由電子數，這種半導體主要靠空穴導電，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子，控制摻入雜質的濃度可以控制空穴數， - P型半導體呈電中性，
負離子不能移動，所以不是載流子，P型半導體中的正電荷量（由硅（鍺）原子失去電子形成的空穴和本征激發的空穴）和負電荷量（負離子和本征激發的電子所帶）相等，所以N型半導體呈現電中性，
總結
在雜質半導體中，多子濃度主要取決于摻入雜質的濃度，摻入雜質越多，多子濃度越大，而少子由本征激發產生，其濃度主要取決于溫度，溫度越高，少子濃度越大，
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