文章目錄

記憶體的分類
- SRAM
- - SDRAM
  - DDR(Double Data Rate SDRAM)
- DRAM
記憶體的內部結構
- 尋址資訊
2440記憶體初始化
- 使用芯片為HY57V561621
- 存盤控制器
6410記憶體初始哈
- 地址空間
- - 主存盤區劃分
- 記憶體芯片連接
- - 初始化流程
  - 代碼
210記憶體初始化
- 地址空間
- 記憶體芯片連接
- 初始化
- - mem.S

參考國嵌

記憶體的分類

SRAM

SRAM:它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要定期重繪電路就能保存它內部存盤的資料，其優點:存取速度快;但是缺點是:功耗大，成本高，常用作存盤容量不高，但存取速度快的場合，比如steppingstone.

SDRAM

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)
同步: 記憶體作業需要有同步時鐘，內部的命令的發送
與資料的傳輸都以該時鐘為基準，
動態: 存盤陣列需要不斷的重繪來保證資料不丟失，
隨機: 是指資料不是線性依次存盤，而是自由指定地
址進行資料讀寫，
備注:2440開發板上使用的記憶體通常是SDRAM.

DDR(Double Data Rate SDRAM)

“雙倍速率同步動態隨機存盤器”，
與早期的SDRAM相比,DDR除了可以在時鐘脈沖的上升沿傳輸資料，還可以在下降沿傳輸信號，這意味著在相同的作業頻率下，DDR的理論傳輸速率為SDRAM的兩倍，
DDR2則在DDR的基礎上再次進行了改進，使得資料傳輸速率在DDR的基礎上再次翻倍，
備注:6410開發板通常采用DDR記憶體
210開發板通常采用DDR2記憶體

在嵌入式硬體體系中，除了CPU內部的"steppingstone"采用SRAM外，板載記憶體一般會采用DRAM,而DRAM又可以分為SDRAM,DDR,DDR2等，

DRAM

DRAM:它的基本原件是小電容，電容可以在兩個極板上保留電荷，但是需要定期的充電（重繪），否則資料會丟失，缺點:由于要定期重繪存盤介質，存取速度較慢，

記憶體的內部結構

記憶體的內部如同表格,資料就存放在每個單元格中，資料讀寫時，先指定行號(行地址)，再指定列號(列地址)，我們就可以準確地找到所需要的單元格，而這張表格的稱為:
Logical Bank(L-Bank).

由于技術、成本等原因，一塊記憶體不可能把所有的單元格都做到一個L-Bank，現在記憶體內部基本都會分割成4個L-Bank，

尋址資訊

L-Bank選擇信號
行地址
列地址

2440記憶體初始化

27根地址線

8個片選信號

為了擴大外設的訪問范圍,S3c2440芯片提供了8個片選信號
nGCS0~nGCS7
當某個片選信號nGCSx有效時，則可以通過27根地址線去訪問對應這個片選的128MB空間，
由于有8個片選，所以2440芯片能訪問的外設空間總共為8*128MB=1GB而1G(Ox40000000)以上的空間，則安排給了2440內部的暫存器，訪問這些內部的暫存器，則是通過32位的處理器內部總線來完成的，

使用芯片為HY57V561621

存盤控制器

因為沒有使用bank7的UB/LB因此31位為0,等待狀態設定為0，因此30位為0,因為是將兩個16位的記憶體芯片，然后拼成的32位的，因此29:28設定為10
同樣bank6和bank7一樣，都是連接sdram，因此值一樣，后面的5-0都還沒有使用，全部保持為0，因此總的值為0x22000000

沒有用到bank0-5,因此值不變都為0x0700

首先16:15位決定是什么型別，因為我們這里是sdram因此設定為11
因為用的SDRAM因此只用設定0-3位
首先是設定延時是幾個始終

這里應該設定為2個時鐘，為00
后面的SCAN是設定為列地址數，通過HY576這個芯片手冊

這里應該設定為9位，01
0x11000000000000001=0x18001

然后是負責重繪的控制暫存器

23位設定為1要重繪
22位設定為0自動重繪
21:20設定為00兩個時鐘

19:18設定為11一行重繪時間通常為17個時鐘
17:16設定為00不使用的
15:11設定為00000也是不使用的
10:0重繪周期設定

要根據HCLOCK設定，是核頻率的1/4也就是100MHZ，因此設定為1269就是了
也就是10011110101
因此總的下來這個暫存器應該設定為0x8c04F5

7位控制ARM core突發模式操作是否使用，一般設定為1
6位未用為0
5位掉電模式打開設定位1
4位設定位1
3位為0
2:0bank大小設定因此設定為00164M
總的下來設定為0xb1

設定bank6和bank7的模式設定（設定一個其余一個相同即可)
只需要設定CL域就行了
是用來設定CAS延遲，根據圖來

指的是從RAS變低到CAS變低的時鐘數，這里是三個時鐘
因此為011其余全部為0
因此總的為0x30同樣bank7對應的也一樣

6410記憶體初始哈

地址空間

S3C6410處理器擁32位地址總線,其尋址空間為4GB，其中高2GB為保留區，低2GB區域又可劃分為兩部分:主存盤區和外設區，

主存盤區劃分

外設區存放著暫存器這些，主存盤區是記憶體和boot這些

記憶體芯片連接

6410的芯片是用的兩片128M記憶體組成的256M的，

初始化流程

memc cmd設定到’b100，使DRAM控制器進入“Config”狀態，
芯片配置和id配置暫存器以及時隙引數等，
等待200us允許SDRAM電源和時鐘穩定，然而，當CPU開始作業時，電源和時鐘已經穩定了(這個作業可以不做)
執行記憶體初始化序列，(因為使用的是ddr的記憶體，因此選擇第二個）
將memc cmd編程為b000，使DRAM控制器進入’Ready’狀態
檢查memc stat中的記憶體狀態欄位，直到記憶體狀態變為b01，即’Ready’，

在最前面其實有一步，設定引腳為data pin

代碼

檢查最后兩位是否為ready 01

210記憶體初始化

地址空間

0地址也是映射區

記憶體芯片連接

210開發板的記憶體通常采用8片或者4片128M*8bit芯片級聯的辦法，

初始化

為了支持高速存盤設備，DRAM控制器使用SEC DDR PHY介面，該控制器包括一個先進的嵌入式調度器，以有效地利用記憶體設備和優化的管道階段，以減少延遲，S5PV210有兩個獨立的DRAM控制器和埠，DMCO和一代，DMCO最大支持512MByte和DMC1 1GByte記憶體大小，但兩個控制器必須使用相同型別的記憶體

這里采用初始化DRAM 0
采用的是DDR2

DDR2記憶體型別的初始化順序:

為了為控制器和存盤設備提供穩定的電源，控制器必須斷言并保持CKE到邏輯低電平，然后應用穩定時鐘，注意:XDDR2SEL應該是高電平，以保持CKE為低，
設定PhyControl0.ctrl_start_point和PhyControl0.ctrl_inc位域根據時鐘頻率來校正值，設定PhyControl0.ctrl_dll_on bit-field to '1’打開PHY DLL
DQS清洗:設定PhyControl1.ctrl_shiftc和 PhyControl1.ctrl_offsetc 位域，根據時鐘頻率和記憶體tAC引數來校正值，(因為現在只用DRAM 0,因此1暫時不管)
設定PhyControl0.ctrl_start位域為’1
設定ConControl，此時，自動重繪計數器應該關閉(默認值即可)，
設定MemControl，此時，所有的關機模式都應該關閉，
設定MemConfig0暫存器，如果有兩個外部記憶體芯片，設定MemConfig 1暫存器，
設定 PrechConfig和PwrdnConfig暫存器，
根據記憶體交流引數設定TimingAref、TimingRow、TimingData和TimingPower暫存器
如果需要QoS方案，則設定QosControl0-15和QosConfig0-15暫存器，
等待PhyStatus0.ctrl_locked位域為’1’，檢查PHY DLL是否為locked
PHY DLL補償記憶體運行程序中由于行程、電壓和溫度(PVT)變化而引起的延遲量的變化，因此，為了可靠的運行，PHY DLL不應該關閉，除了低頻運行外，它可以關閉，如果使用off模式，請設定PhyControl0.ctrl_force bit-field根據PhyStatus0.ctrl_lock_value[9:2]欄位修正延遲量，清除PhyControl0.ctrl_dll_on bit-field關閉PHY DLL，
確認開機后是否發出穩定時鐘最小200us
使用DirectCmd暫存器發出NOP命令來斷言并將CKE保持在一個邏輯高級，
等待最小400ns
使用DirectCmd注冊器發出PALL命令
使用DirectCmd寄存器發出EMRS2命令來撰寫運行引數，
使用DirectCmd暫存器發出EMRS3命令來撰寫運行引數，
使用DirectCmd注冊器發出EMRS命令來啟用記憶體dll
使用DirectCmd暫存器發出MRS命令來重置記憶體DLLs，
使用DirectCmd注冊器發出PALL命令
使用DirectCmd暫存器發出兩個自動重繪命令，
使用DirectCmd暫存器發出MRS命令來編程運行引數，而不重置記憶體DLL，
等待至少200個時鐘周期，
使用DirectCmd暫存器發出EMRS命令來撰寫運行引數，如果不使用OCD校準，可通過EMRS命令設定“OCD校準默認值”，之后，發出EMRS命令退出OCD校準模式，并對運行引數進行編程
如果有2個外置記憶體芯片，則對“chip1”記憶體設備執行14-25
將control設定為打開自動重繪計數器，
如果需要掉電模式，請設定MemControl暫存器，

mem.S


#define DMC_PHYCONTROL0 0xf0000018
#define DMC_PHYCONTROL1 0xf000001c
#define DMC_CONCONTROL  0xf0000000
#define DMC_MEMCONTROL  0xf0000004
#define DMC_MEMCONFIG0  0xf0000008
#define DMC_MEMCONFIG1  0xf000000c
#define DMC_PRECHCONFIG 0xf0000014
#define DMC_TIMINGAREF 	0xf0000030
#define DMC_TIMINGROW 	0xf0000034
#define DMC_TIMINGDATA 	0xf0000038
#define DMC_TIMINGPOWER 0xf000003c
#define DMC_PHYSTATUS   0xf0000040
#define DMC_DIRECTCMD 	0xf0000010
#define DMC_PWRDNCONFIG 0xf0000028

#define DMC0_MEMCONTROL			0x00202400
#define DMC0_MEMCONFIG_0		0x20F00313	
#define DMC0_MEMCONFIG_1		0x00F00313	

#define DMC0_TIMINGA_REF        0x00000618
#define DMC0_TIMING_ROW         0x2B34438A
#define DMC0_TIMING_DATA        0x24240000
#define DMC0_TIMING_PWR         0x0BDC0343      

.globl mem_init
mem_init:
	@ step 2.1
	ldr	r0, =DMC_PHYCONTROL0
	ldr	r1, =0x00101000				
	str	r1, [r0]
	
	@ step 2.2
	ldr	r0, =DMC_PHYCONTROL0
	ldr	r1, =0x00101002					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 4
	ldr	r0, =DMC_PHYCONTROL0
	ldr	r1, =0x00101003					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 5
	ldr	r0, =DMC_CONCONTROL				
	ldr	r1, =0x0FFF1350
	str	r1, [r0]
	
	@ step 6
	ldr	r0, =DMC_MEMCONTROL
	ldr	r1, =DMC0_MEMCONTROL				
	str	r1, [r0]
	
	@ step 7
	ldr	r0, =DMC_MEMCONFIG0
	ldr	r1, =DMC0_MEMCONFIG_0				
	str	r1, [r0]
	
	@ step 8
	ldr	r0, =DMC_PRECHCONFIG
	ldr	r1, =0xFF000000					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 9.1
	ldr	r0, =DMC_TIMINGAREF
	ldr	r1, =DMC0_TIMINGA_REF				
	str	r1, [r0]
	
	@ step 9.2
	ldr	r0, =DMC_TIMINGROW
	ldr	r1, =DMC0_TIMING_ROW				
	str	r1, [r0]
	
	@ step 9.3
	ldr	r0, =DMC_TIMINGDATA
	ldr	r1, =DMC0_TIMING_DATA				
	str	r1, [r0]
	
	@ step 9.4
	ldr	r0, =DMC_TIMINGPOWER
	ldr	r1, =DMC0_TIMING_PWR				
	str	r1, [r0]
	
	@ step 11
wait_lock:
	ldr	r0, =DMC_PHYSTATUS 
	ldr	r1, [r0]			
	and	r2, r1, #0x4
	cmp	r2, #0x4					
	bne	wait_lock

	@ step 14
	ldr	r0, =DMC_DIRECTCMD
	ldr	r1, =0x07000000					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 16
	ldr	r1, =0x01000000					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 17
	ldr	r1, =0x00020000					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 18
	ldr	r1, =0x00030000					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 19
	ldr	r1, =0x00010400					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 20
	ldr	r1, =0x00000542					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 21
	ldr	r1, =0x01000000					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 22.1 
	ldr	r1, =0x05000000					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 22.2
	ldr	r1, =0x05000000					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 23
	ldr	r1, =0x00000442					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 25.1
	ldr	r1, =0x00010780					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 25.2
	ldr	r1, =0x00010400					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 26, repeat step14~step25
	ldr	r1, =0x07100000					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x01100000					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x00120000					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x00130000					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x00110400					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x00100542					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x01100000					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x05100000					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x05100000					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x00100442					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x00110780					
	str	r1, [r0]
	
	ldr	r1, =0x00110400					
	str	r1, [r0]
	
	@ step 27
	ldr     r0, =DMC_CONCONTROL
	ldr	r1, =0x0FF02030					
	str	r1, [r0]
	
	ldr     r0, =DMC_PWRDNCONFIG
	ldr	r1, =0xFFFF00FF					
	str	r1, [r0]
	
	ldr     r0, =DMC_CONCONTROL
	ldr	r1, =0x00202400					
	str	r1, [r0]

	mov	pc, lr

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