文章目錄
- 前言
- 一、GPIO介紹
- 二、GPIO的基本結構
- 1.IO口內部電路結構
- 2.IO輸入輸出
- 三、GPIO作業模式
- 1.浮空輸入
- 2.輸入上拉模式
- 3.輸入下拉模式
- 4.模擬輸入模式
- 5.開漏輸出模式
- 6.推挽輸出模式
- 7.推挽復用輸出模式
- 8.開漏復用輸出模式
- 四、GPIO暫存器組
- 總結
前言
一、GPIO介紹
GPIO:General Purpose Input Output通用用途輸入輸出
核心功能:輸入、輸出和高級外設的復用功能

注:使用時一定要配置好各引腳是用作普通I/O(輸出0和1)還是用作復用功能
STM32G431資料手冊:查看STM32G4引腳復用功能

查看對應引腳對應的復用功能:

封裝LQFP64 前5行 “ - ” 表示 “ 無 ” ,第1引腳從第6行開始
既然有多種復用功能選擇,如何指定一種相應的復用功能?
==控制復用功能的選擇某個引腳選擇第二個功能: ==

將某一個引腳設定為一種復用功能可根據上圖來看,每一行對應著不同的復用功能,將對應引腳設定為AFX對應功能所在列(將PA9設定為串口功能,只要將PA9設定為AF7即可),這里就要用使用到復用功能暫存器
STM32G4系列控制器參考手冊:


這個是低位暫存器對應PA0-PA7, 還有一個高位暫存器對應PA8-PA15

所以,將PAx引腳設定為AFx引腳只需要像AFRL/AFRH暫存器寫入相應的值
將PA9設定為串口功能,只需要將GPIO A_AFRH 寫入0111( PA9 對應 GPIO A_AFRH 中的 AFSEL9[3:0] )
二、GPIO的基本結構
1.IO口內部電路結構

I/O口的基本結構可分為上下兩部分,下半部分為輸出驅動器 ,上半部分為輸入驅動器
2.IO輸入輸出
1.普通IO輸出

(1)通過置位/復位暫存器和 輸出資料暫存器的共同作用輸出0或1
(2)在選擇器處選擇普通I/O輸出( 或復用功能輸出)
(3)通過反相器將前面輸出的0或1轉換為1或0
(4)通過P-MOS管和N-MOS管兩個MOS管決定輸出邏輯0還是邏輯1
P-MOS管 為低電平導通,導通后輸出邏輯1
N-MOS管 為高電平導通,導通后輸出邏輯0
2.復用功能功能輸出

與普通IO輸出相比,選擇器選擇復用功能輸出
3.普通IO輸入
輸入為低電平0時,上下拉電阻處于關閉狀態,施密特觸發器為打開狀態

但是,若輸入為高電平時要考慮輸入電壓的大小,如果電壓過大必須進行穩壓,否則會啥訓電路,這就是包含二極管的作用
(1)輸入的高電平為3.3V:能夠直接通過I/O引腳進入內部電路
(2)輸入的高電平為5V: 要用到 5V容錯I/O埠 其中 VDD_FT(3.3V)
當輸入為+5V?時,上面的二極管導通,連接 VDD_FT(3.3V),將輸入的5V?穩壓到3.3V?,從而保護了電路

(3)當輸入為-5V?時(和5V方向相反),下面二極管導通,連接VSS(0V),將輸入的-5V?穩壓到0V?,從而保護電路

上下拉電阻
當某個引腳處于懸空時,其輸入電平不能確定,既不是高電平也不是低電平
上拉下拉電阻用于處理IO口不確定的電平狀態,強制性的將電平拉上或拉下
注:當輸入為確定的高電平或低電平時,上拉下拉電阻將不起作用
上拉和下拉都各有一個開關,當輸入電平不確定時且上拉或下拉開關閉合時,不確定的電平就被強制性的轉換為高電平(上拉開關閉合)或低電平(下拉開關閉合)
上拉電阻:將上拉開關閉合,輸入的不確定電平被強制上拉為高電平

下拉電阻:將下拉開關閉合,輸入的不確定電平被強制下拉為低電平

小結:

三、GPIO作業模式
為實作不同的作業要求,GPIO有8種作業模式,每個I/O口可以自由編程,但I/O暫存器必須按32位字被訪問,

1.浮空輸入
浮空輸入:復位上電的時,引腳不確定電平的高低(既不接電源,也不接地

(1)外部通過IO口輸入電平(上下拉電阻處于關閉狀態)
(2)傳輸到施密特觸發器(此時施密特觸發器為打開狀態)
(3)繼續傳輸到輸入資料暫存器IDR
(4)CPU通過讀輸入資料暫存器IDR實作讀取外部輸入電平值
2.輸入上拉模式
輸入上拉模式:與輸入浮空模式相比較,不同之處在于內部有一個上拉電阻連接到 VDD(輸入上拉模式下,上拉電阻開關接通,阻值約 30-50K)

外部輸入通過上拉電阻,施密特觸發器存入輸入資料暫存器 IDR,被 CPU 讀取,當輸入管腳懸空時不受外部噪聲信號干擾,
無論輸入管腳懸慷訓者被高電平驅動時,讀取的都是1. 只有在輸入端為0的時,讀取到的值才是0,因此采取的是非0輸入模式,即若讀取非0,即為1,若讀取為0,即為0,強制上拉,一般是為了輸入強高電平
3.輸入下拉模式
輸入下拉模式: 與輸入浮空模式相比較,不同之處在于內部有一個下拉電阻連接到 VSS(輸入下拉模式下,下拉電阻開關接通,阻值約 30-50K)

外部輸入通過下拉電阻,施密特觸發器存入輸入資料暫存器 IDR,被 CPU 讀取,強制下拉,一般是為了輸入強低電平
4.模擬輸入模式

上拉和下拉部分均為關閉狀態,施密特觸發器為截止狀態,通過模擬輸入通道輸入到 CPU,IO 口外部電壓為模擬量(電壓形式非電平形式), 作為模擬輸入范圍一般為 0~3.3V
將IO口作為模擬輸入介面,輸入的可能是變化的值,接收外部的模擬信號輸入
5.開漏輸出模式
開漏輸出即三極管的集電極或者MOS管的漏極進行輸出
開漏輸出可以實作線與功能,開漏輸出只能輸出強低電平,高電平需要依靠外部上拉電子拉高,適合做電流型驅動,吸收電流能力較強
注: 在輸出模式下TTL施密特觸發器為開啟狀態,所以輸出模式下仍存在輸入

(1)CPU寫入位設定/清除暫存器BSRR,映射到輸出資料暫存器ODR
(2)聯通到輸出控制電路(也就是ODR的電平)
(3)ODR電平通過輸出控制電路進入N-MOS管
開漏不使用 P-MOS(輸出1) ,故輸出不為 “0” 或 “1”,而是 “0” 或 “浮空”
(1)寫0傳輸到MOS管處,N-MOS 導通,輸出為0
(2)寫1傳輸到MOS管處,P-MOS 和 N-MOS 都不導通,輸出浮空
(1)ODR輸出0:
N-MOS截止,IO埠電平不會由ODR輸出決定,而由外部上拉/下拉決定
在輸出狀態下,輸出的電平可以被讀取,資料存入輸入資料暫存器,由CPU讀取,實作CPU讀取輸出電平
所以,當N-MOS截止時,如果讀取到輸出電平為1,不一定是我們輸出的1,有可能是外部上拉產生的1
(2)ODR輸出1:
N-MOS開啟,IO埠電平被N-MOS管拉倒VSS,使IO輸出低電平,此時輸出的低電平同樣可以被CPU讀取到
開漏輸出為不確定狀態,不具有驅動能力
6.推挽輸出模式
推挽輸出使用 P-MOS和N-MOS ,輸出為0或1

推挽輸出可以采取強高/強低輸出,可以連接數字電路
7.推挽復用輸出模式

與推挽輸出模式唯一的區別在于輸出控制電路之前電平的來源
推挽輸出模式的輸出電平是由CPU寫入輸出資料暫存器控制的,推挽復用輸出模式的輸出電平是由復用功能外設輸出決定的
8.開漏復用輸出模式

與開漏輸出模式唯一的區別在于輸出控制電路之前電平的來源
開漏輸出模式的輸出電平是由CPU寫入輸出資料暫存器控制的,開漏復用輸出模式的輸出電平是由復用功能外設輸出決定的
小結:
(1)推挽結構:兩個引數相同的三極管或MOS管分別受兩互補信號的控制,總是在一個三極管或MOS管導通的時候另一個截止,高低電平由輸出電平決定
(2)開漏輸出:只可以輸出強低電平,高電平得靠外部電阻拉高,輸出端相當于三極管的集電極,適合于做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強, 由于輸出電平完全由上拉電阻連接的電源電平決定,很方便的調節電平轉換
可以實作"線與"功能,"線與"指的是多個信號線直接連接在一起,只有當所有信號全部為高電平時,合在一起的總線為高電平;只要有任意一個或者多個信號為低電平,則總線為低電平
(3)推挽輸出:可以輸出強高、低電平,都具有驅動能力,可以連接數字器件
四、GPIO暫存器組
STM32G4系列控制器參考手冊 : 查看GPIO暫存器

每個GPIO包括10個暫存器來配置GPIO的具體功能(每個引腳功能都是完全可以獨立配置,互不影響):
GPIOx_MODER:GPIO 埠模式暫存器
GPIOx_OTYPER :GPIO 埠輸出型別暫存器
GPIOx_OSPEEDR :GPIO 埠輸出速度暫存器
GPIOx_PUPDR :GPIO 埠上拉/下拉暫存器
GPIOx_IDR :GPIO 埠輸入資料
GPIOx_ODR :GPIO 埠輸出資料暫存器
GPIOx_BSRR :GPIO 埠置位/復位暫存器
GPIOx_LCKR :GPIO 埠配置鎖定暫存器
GPIOx_AFRL :GPIO 復用功能低位暫存器
GPIOx_AFRH :GPIO 復用功能高位暫存器
GPIOx_BRR:GPIO位復位暫存器

總結
提示:這里對文章進行總結:
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