FLASH作業流程
寫資料流程:Flash解鎖——擦除扇區——寫資料到指定空間——上鎖寫保護;
讀資料流程:從指定地址讀出指定長度資料,
源檔案flash.c寫法
STMFLASH_GetFlashSector函式用于判斷寫入的起始地址在哪個扇區,回傳所在扇區,之后對該扇區進行擦除等操作,
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)
{
return *(__IO uint32_t*)faddr;
}
uint8_t STMFLASH_GetFlashSector(uint32_t addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_SECTOR_7;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_SECTOR_8;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_SECTOR_9;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_SECTOR_10;
return FLASH_SECTOR_11;
}
寫入函式需要用的是HAL庫,解鎖之前首先定義結構體,并判斷寫入地址是否合法,之后進行解鎖,擦除掉對應的扇區并進行寫入,擦除是一次擦除一個扇區,寫入是一個數一個數寫入,最后進行上鎖,
讀出函式的起始地址要和之前寫入的地址一致,之后存入定義的陣列中,
上面兩個函式的輸入分別為起始地址,要讀寫的陣列以及陣列內數的個數,
void STMFLASH_Write(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t Num)
{
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
uint32_t SectorError=0;
uint32_t addrx=0;
uint32_t endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址
HAL_FLASH_Unlock(); //解鎖
addrx=WriteAddr; //寫入的起始地址
endaddr=WriteAddr+Num*4; //寫入的結束地址
if(addrx<0X080C1000)
{
while(addrx<endaddr)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF) {
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除型別,扇區擦除
FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx); //要擦除的扇區
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一個扇區
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //電壓范圍,VCC=2.7~3.6V之間!!
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
{
break;//發生錯誤了
}
}else addrx+=4;
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
}
}
FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
if(FlashStatus==HAL_OK)
{
while(WriteAddr<endaddr)//寫資料
{
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//寫入資料
{
break; //寫入例外
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
HAL_FLASH_Lock(); //上鎖
}
void STMFLASH_Read(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t size)
{
uint32_t i;
for(i=0;i<size;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//讀取4個位元組.
ReadAddr+=4;//偏移4個位元組.
}
}
頭檔案flash.h
這里的11個扇區分別對應這STM32F407的主暫存器的扇區,
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址
#define FLASH_WAITETIME 50000 //FLASH等待超時時間
//FLASH 扇區的起始地址
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) //扇區0起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) //扇區1起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) //扇區2起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) //扇區3起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) //扇區4起始地址, 64 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) //扇區5起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) //扇區6起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) //扇區7起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) //扇區8起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) //扇區9起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) //扇區10起始地址,128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) //扇區11起始地址,128 Kbytes
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr); //讀出字
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite); //從指定地址開始寫入指定長度的資料
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead); //從指定地址開始讀出指定長度的資料

main函式應該添加的
在斷電的時候將你要保存的6個數寫入到該地址,注意這個地址是要在你上方定義的那11個地址的范圍內,如果超出,擦除的扇區就檢測不對,無法正常寫入,再就是該地址需要是空閑的地址,不能影響程式的正常作業,(要存的這6個數是8位的,被強制轉為32位寫入)
if(掉電)
{
uint8_t TEXT[6];
TEXT[0] = Set_A;;
TEXT[1] = Set_B;
TEXT[2] = Set_C;
TEXT[3] = Set_E;
TEXT[4] = Set_F;
TEXT[5] = Set_G;
STMFLASH_Write(0x800C0000,(uint32_t*)TEXT,6);
}
讀出的地址注意要與寫入地址相同,再一個就是我們讀出的這六個數都是32位的,而我們需要的數是8位的,因此這里加上uint8_t強制轉為32位的,這樣就可以正常作業,實作掉電保存,
if(上電)
{
uint8_t INXT[6];
STMFLASH_Read(0x800C0000,(uint32_t*)INXT,6);
uint8_t Set_A = INXT[0];
uint8_t Set_B = INXT[1];
uint8_t Set_C = INXT[2];
uint8_t Set_E = INXT[3];
uint8_t Set_F = INXT[4];
uint8_t Set_G = INXT[5];
}
新手小結
本人這是第一次寫博客,寫這篇主要是因為自己用HAL庫寫掉點保存的時候在網上總是查不到比較全的方法,自己東拼西湊最后也實作了這個功能,可能里面也有許多寫的很粗糙的地方,希望各位大大批評指正,也希望我這篇文章能幫到跟我一樣用HAL庫寫掉電保存很難受的問題,O(∩_∩)O~,
轉載請註明出處,本文鏈接:https://www.uj5u.com/qita/123040.html
標籤:其他
