MOS管，又叫絕緣柵型場效應管，屬于電壓控制電流型元件，是開關電路中的基本元件，其特點是柵極（G）的內阻極高，場效應管分為P型和N型，P型場效應管由于跨導小、閾值電壓高等原因，已經逐漸被NMOS所取代，
同時，我們知道，MOS管還分為耗盡型和增強型，在實際工程中，我們使用的只有增強型P/NMOS，因為我們肯定不希望一開始就有一個漏極電流，
寄生二極管
由于mos管本身的結構，使得源極和漏極之間會存在一個寄生二極管，其方向的判斷方法是，NMOS從源極指向漏極，PMOS反之，寄生二極管能夠防止VDD過大時擊穿MOS管（寄生二極管會率先擊穿從而把大電壓短路到地），也可以防止DS反接，（如上圖）
GS寄生電容和電阻
電容：mos真正模型中，各個極之間都存在寄生電容，但是我們最關心的莫過于GS之間的寄生電容Cgs，它會影響開關速度，我們可以輕易地想到，瞬時電流越大，我們就能越快地充滿Cgs，也就能越快地打開mos管，
電阻：由于Cgs的存在，少量的靜電就可以在GS之間產生巨大的電壓，這個電壓是非常具有破壞性的，這時候通過Rgs就可以把上面的電荷放掉，保護管子，同時它也提供偏置電壓，
柵極電阻
1.因為驅動的走線會有很強的寄生電感（電磁感應），加之之前說過，GS之間有一個寄生電容，整體呈現容性，所以他們會形成一個LC諧振電路，在外部激勵信號的影響下發生嚴重的震蕩，我們串聯一個電阻可以降低其Q值，使之迅速衰減，
2.電容和電感只會存盤能量而不會消耗能量，如果不串接一個電阻，那么驅動器的功率大部分會消耗在其內部，而無法傳達到開關管上，
3.柵極電阻能夠影響開關管的開關速度，如果柵極電阻太大，那么開關速度會顯著降低，這顯然不是我們想要的，但是如果柵極電阻太小，那么高開關速度帶來的是很大的電流電壓變化率，也就意味著強烈的干擾，
柵極二極管
調整這個可以調節MOS管的打開和關斷的速度，
二極管在脈沖下降沿時起到對柵極放電的作用，使場效應管能快速截止，減少功耗，
接地電容
主要是系統中提供瞬間電荷，抑制電流紋波和電壓尖峰（寄生電感導致的)
因為低值電容器可以快速提供一些電荷，而高值電容器可以提供大量電荷，隨時間充電，有助于減少系統中的電壓振鈴和電壓尖峰
從上漏到下源的電容
選擇約0.01uF-1uF的值，并將其盡可能靠近FET，以確保正確作業
由于采樣電阻的布局，可能GND會引入寄生電感，導致不良接地，去耦電容就無法穩定的提供電荷，而這個電容就可以解決這個問題，直接連接到BAT+，和低壓側節點，采用交流接地的概念，
未完待續...
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