一、ROM
只讀存盤器（Read-Only Memory,ROM）以非破壞性讀出方式作業,只能讀出無法寫入資訊，資訊一旦寫入后就固定下來,即使切斷電源,資訊也不會丟失,所以又稱為固定存盤器，ROM內部的資料是在ROM的制造工序中,在工廠里用特殊的方法被燒錄進去的,其中的內容只能讀不能改,一旦燒錄進去,用戶只能驗證寫入的資料是否正確,不能再作任何修改，如果發現資料有任何錯誤,則只有舍棄不用,重新訂做一份，ROM是在生產線上生產的,由于成本高,一般只用在大批量應用的場合，
二、PROM
由于ROM制造和升級的不便,后來人們發明了PROM(Programmable ROM,可編程ROM)，最初從工廠中制作完成的PROM內部并沒有資料,用戶可以用專用的編程器將自己的資料寫入,但是這種機會只有一次,一旦寫入后也無法修改,若是出了錯誤,已寫入的芯片只能報廢，PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且寫入資料的速度比ROM的量產速度要慢,一般只適用于少量需求的場合或是ROM量產前的驗證，
三、EPROM
EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可編程ROM)芯片可重復擦除和寫入,解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端，EPROM芯片有一個很明顯的特征,在其正面的陶瓷封裝上,開有一個玻璃視窗,透過該視窗,可以看到其內部的集成電路,紫外線透過該孔照射內部芯片就可以擦除其內的資料,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器，EPROM內資料的寫入要用專用的編程器,并且往芯片中寫內容時必須要加一定的編程電壓(VPP=12-24V,隨不同的芯片型號而定)，EPROM芯片在寫入資料后,還要以不透光的貼紙或膠布把視窗封住,以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損，
四、EEPROM
EPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,電可擦除可編程ROM)的擦除不需要借助于其它設備,它是以電子信號來修改其內容的,而且是以Byte為最小修改單位,不必將資料全部洗掉才能寫入,徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛，EPROM在寫入資料時,仍要利用一定的編程電壓,此時,只需用廠商提供的專用重繪程式就可以輕而易舉地改寫內容,所以,它屬于雙電壓芯片，
五、RAM
隨機存取存盤器（Random Access Memory，RAM），也叫主存，是與CPU直接交換資料的內部存盤器，它可以隨時讀寫（重繪時除外），而且速度很快，通常作為作業系統或其他正在運行中的程式的臨時資料存盤介質，RAM作業時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）資訊，它與ROM的最大區別是資料的易失性，即一旦斷電所存盤的資料將隨之丟失，RAM在計算機和數字系統中用來暫時存盤程式、資料和中間結果，
六、SRAM
靜態隨機存取存盤器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存盤器的一種，所謂的“靜態”，是指這種存盤器只要保持通電，里面儲存的資料就可以恒常保持，當電力供應停止時，SRAM儲存的資料還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的，
七、DRAM
動態隨機存取存盤器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）使用電容存盤資料，只能將資料保持很短的時間，為了保持資料，必須隔一段時間重繪（refresh）一次，如果存盤單元沒有被重繪，存盤的資訊就會丟失，由于這種需要定時重繪的特性，因此被稱為“動態”存盤器，
SRAM 不需要動態重繪，速度快，性能高，但是功耗大、集成度低，同時體積也比 DRAM 大，由此 SRAM 的造價更高，
八、SDRAM
同步動態隨機存取記憶體（synchronous dynamic random-access memory，SDRAM）是有一個同步介面的動態隨機存取記憶體（DRAM），通常DRAM是有一個異步介面的，這樣它可以隨時回應控制輸入的變化，而SDRAM有一個同步介面，在回應控制輸入前會等待一個時鐘信號，這樣就能和計算機的系統總線同步，
第一代 SDRAM 是 SDR 單資料速率，其后第二代 DDR SDRAM、第三代 DDR2 SDRAM、第四代 DDR3 SDRAM、第五代 DDR4 SDRAM 均為雙倍速率的存盤器，一般簡稱 DDR（Double Data Rate），
九、Flash
Flash 存盤器，又叫閃存，非易失性存盤器件，它結合了 RAM 和 ROM 的優點，既能電可擦除可編程，不掉電丟資料（ROM），又能快速讀寫資料（RAM），但是還是不如 RAM 快，U盤大部分使用的是 Flash 技術，它分為NAND FLASH和NOR FLASH，NOR FLASH讀取速度比NAND FLASH快，但是容量不如NAND FLASH，價格上也更高，但是NOR FLASH可以芯片內執行，應用程式可以直接在flash閃存內運行,不必再把代碼讀到系統RAM中，NAND FLASH密度更大，可以作為大資料的存盤，
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