ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。
當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處于待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存盤器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存盤器的寫入和讀取。資料位元組允許訪問高位元組（UB）和低位元組（LB）。
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標準的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。
SRAM芯片型號IS62WV51216，管腳圖如下：
IS62WV51216的管腳總的來說大致分為：電源線、地線、地址線、資料線、片選線、寫使能端、讀使能端和資料掩碼信號線。
特征
?高速訪問時間：45ns，55ns
?CMOS低功耗運行
–36mW（典型值）運行
–12μW（典型值）CMOS待機
?TTL兼容介面級別
?單電源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
?完全靜態操作：無時鐘或重繪需要
?三態輸出
?高低位元組資料控制
?可提供工業溫度
?無鉛
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ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。uj5u.com熱心網友回復：
當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處于待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。uj5u.com熱心網友回復：
ISSI 8Mb LP SRAM芯片Density Org. Part Number Vcc. Speed(ns) Pkg(Pins)
8Mb 1Mx8 IS62C10248AL 5V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
8Mb 1Mx8 IS62WV10248DALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 512Kx16 IS62WV51216ALL/BLL 1.65-3.6V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
8Mb 512Kx16 IS62C51216AL 5V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
8Mb 512Kx16 IS62/65WV51216EALL/EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 1Mx8 IS62WV10248EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 1Mx8 IS65WV10248EALL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 1Mx8 IS65WV10248EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb 1Mx8 IS62/65WV10248EALL/EBLL 1.65-3.6V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
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